双通道2A连续3 峰值输出电流高开关频率和电流模式控制
发布时间:2021/1/5 18:09:48 访问次数:744
使用低侧电源工作的隔离放大器和ADC。传统隔离放大器与单电源隔离放大器.
器件包括一个全集成DC/DC转换器级，可在内部产生高侧电源。这种DC/DC转换器的架构经过优化，可从高侧低压差调节器（LDO）输出引脚（通常表示为HLDOOUT）为辅助电路（如有源滤波器、前置放大器或比较器）提供高达1 mA的额外直流电流。
基于分流器的电流感应提供高精度。带集成DC/DC转换器的AMC3301精密增强型隔离放大器。
支持一个 1.5V 至 12V (由单个外部电阻器来设定)
输出电压范围。
该器件的高效率设计
能够提供双通道 2A 连续、
3A 峰值输出电流。
仅需少量陶瓷输入和输出电容器。
支持可选的突发模式操作
以及用于电源轨排序
输出电压跟踪功能。
高开关频率和电流模式控制
运用可实现针对电压
负载变化的非常快速瞬态响应，
而并未牺牲稳定性。
故障保护功能包括输入过压、
输出过流和过热保护。
6.25mm x 6.25mm x 2.42mmBGA 封装。
微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB 和Si8902EDB的ESD保护达4000V。
墙上适配器需要30V的器件，双向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻为30 m欧姆，其封装为TSSOP-8。如果要用更低的电压，20-V Si6880EDQ的导通电阻在4.5V栅驱动时为18 m欧姆，也可工作到低于1.8V, 其封装也是TSSOP-8。两种器件的ESD保护为4000V。
为了改善热性能，30-V Si7902EDN双共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封装.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 使用低侧电源工作的隔离放大器和ADC。传统隔离放大器与单电源隔离放大器.
器件包括一个全集成DC/DC转换器级，可在内部产生高侧电源。这种DC/DC转换器的架构经过优化，可从高侧低压差调节器（LDO）输出引脚（通常表示为HLDOOUT）为辅助电路（如有源滤波器、前置放大器或比较器）提供高达1 mA的额外直流电流。
基于分流器的电流感应提供高精度。带集成DC/DC转换器的AMC3301精密增强型隔离放大器。
支持一个 1.5V 至 12V (由单个外部电阻器来设定)
输出电压范围。
该器件的高效率设计
能够提供双通道 2A 连续、
3A 峰值输出电流。
仅需少量陶瓷输入和输出电容器。
支持可选的突发模式操作
以及用于电源轨排序
输出电压跟踪功能。
高开关频率和电流模式控制
运用可实现针对电压
负载变化的非常快速瞬态响应，
而并未牺牲稳定性。
故障保护功能包括输入过压、
输出过流和过热保护。
6.25mm x 6.25mm x 2.42mmBGA 封装。
微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB 和Si8902EDB的ESD保护达4000V。
墙上适配器需要30V的器件，双向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻为30 m欧姆，其封装为TSSOP-8。如果要用更低的电压，20-V Si6880EDQ的导通电阻在4.5V栅驱动时为18 m欧姆，也可工作到低于1.8V, 其封装也是TSSOP-8。两种器件的ESD保护为4000V。
为了改善热性能，30-V Si7902EDN双共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封装.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 
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