MC9S12B系列有全16位数据通道，外部总线工作在8位窄模式，所以单个8位宽的存储器能和低成本系统接口。所包括的PLL电路允许功耗和性能可被调整到适合的工作条件。此外，每个模块中的附加I/O口，多达22个I/O口，具有能从停止模式或等待模式中唤醒的功能。

它也可代替晶体，用作实时时钟的输入时钟驱动器以及在EM 微控制器中驱动外接时钟。微控制器制造商也能把它加在一个电路中。

EM7602在3V时有低功耗，典型值为6 μA，热补偿的温漂为-0.012 ppm/C2。

制造商:Microchip产品种类:MOSFETRoHS:N技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-254AA-3商标:Microchip / Microsemi产品类型:MOSFET100子类别:MOSFETs单位重量:300 mg

增益带宽产品fT:150 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 系列: 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:500 高度:1.6 mm 长度:6.7 mm 技术:Si 宽度:3.7 mm

1Gbps DDR-I SDRAM存储器给它的主要客户，支持下一代图像处理芯片组。这种高速DDR-I SDRAM 产品，是业界第一个速度为500MHz（1Gbps）,32位宽I/O口和144针FBGA封装的产品。它支持台式计算机，工作站图像，交换和路由器的高速度应用。

这种新产品是DDR-I产品线中速度最高的，和DDR-I板兼容。Hynix公司预测，速度，兼容性和估计成本都比DDR-II好10%，很快会被图像和网络产业所接受。

在尽可能低的价格提供最高的性能，是区分终端产品的关键。500MHz的DDR-I能做到这一点。