链接功率和FT 3120/FT 3150智能收发器
发布时间:2021/1/16 12:00:03 访问次数:341
标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片，能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存储器和处理器，外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性，增加系统性能和数据安全。
FRAM比其它的嵌入式存储器的制造成本低，功耗也低。
FRAM结合了易挥发的DRAM的快速存取和低功耗的特点，能够在停电时保存数据。其它非挥发的存储器如EEPROM和闪存则更贵，因为需要更多的掩模工序，更长的写入时间和更多的写入功率。
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.05 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:50 A Pd-功率耗散:326 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:IKW25N120H3 SP000674418 单位重量:5.420 g
IBM的SiGe芯片用现有的生产线制造，能以最小的成本迅速引用新技术。这使得SiGe技术扩展了性能，延长了手机和RF通信产品的电池寿命。
100MHz时，100欧姆负载的1Vpp信号包络，其三阶互调失真(IMD3)为-90dBc。
LPT-11链接功率收发器和FT 3120/FT 3150智能收发器兼容，在同一网络能互相通信。
这种能力为节点提供了不贵的界面方式，该节点的电流或电压要求超过了链接功率部件的能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片，能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存储器和处理器，外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性，增加系统性能和数据安全。
FRAM比其它的嵌入式存储器的制造成本低，功耗也低。
FRAM结合了易挥发的DRAM的快速存取和低功耗的特点，能够在停电时保存数据。其它非挥发的存储器如EEPROM和闪存则更贵，因为需要更多的掩模工序，更长的写入时间和更多的写入功率。
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.05 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:50 A Pd-功率耗散:326 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:IKW25N120H3 SP000674418 单位重量:5.420 g
IBM的SiGe芯片用现有的生产线制造，能以最小的成本迅速引用新技术。这使得SiGe技术扩展了性能，延长了手机和RF通信产品的电池寿命。
100MHz时，100欧姆负载的1Vpp信号包络，其三阶互调失真(IMD3)为-90dBc。
LPT-11链接功率收发器和FT 3120/FT 3150智能收发器兼容，在同一网络能互相通信。
这种能力为节点提供了不贵的界面方式，该节点的电流或电压要求超过了链接功率部件的能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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