FRAM测试芯片是用标准的130nm铜连接工艺制造，仅增加两道掩模工序。1.5V芯片证明了迄今为止最小的FRAM单元，尺寸仅为0.52平方微米，因此在同样的芯片上能得到比SRAM密度更高的存储器。在90nm工艺，FRAM单元更小，仅为0.35平方微米。

制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.05 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:30 A Pd-功率耗散:217 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列: 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:600 nA 产品类型:IGBT Transistors 240 子类别:IGBTs 商标名: 零件号别名:IKW15N120H3 SP000674422 单位重量:1.810 g

单独的数据和电源线的安装同样会要化更多时间发现并修理故障。

每增加一个传感器或除去一个激励器，数据和电源线必须要适当改变，常常出现在新连接建立前网络会关断的现象。

LPT-11收发器能以78Kbps的速率在长达500米的距离以自由布局的方式通信，用双端总线布局则可长达2200米。单一的链接网络部件能支持多达128个设备。

链接网络部件可由路由器或物理层中继器来进行互连，以支持更多的设备。