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LM2675-5.0的典型应用电路过温保护模块OTP

发布时间:2020/12/14 8:35:03 访问次数:2387

一颗DC/DC降压电源芯片LM2675的内部设计原理和结构

LM2675-5.0的典型应用电路:电源芯片的内部全部单元模块。BUCK结构我们已经很理解了,这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动,并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管,实现稳压或者恒流输出。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,因为这个电压值和硅的带隙电压相近,因此被称为带隙基准。这个值为1.2V左右,PN结的电流和电压公式:

可以看出是指数关系,Is是反向饱和漏电流(即PN结因为少子漂移造成的漏电流)。这个电流和PN结的面积成正比,即Is->S。

制造商:EPCOS / TDK产品种类:共模滤波扼流圈RoHS:是系列:B82789C端接类型:SMD/SMT电感:51 uH阻抗:550 mOhms容差:- 30 %, + 50 %最大直流电流:250 mA最大直流电阻:550 mOhms自谐振频率:-最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:1812 (4532 metric)资格:AEC-Q200封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel产品:Data Line Chokes商标:EPCOS / TDK产品类型:Common Mode Chokes工厂包装数量:2500子类别:Inductors, Chokes & Coils零件号别名:2 513H B82789C B82789C513H2单位重量:27 mg

过温保护模块OTP,温度保护是为了防止芯片异常高温损坏,原理比较简单,利用晶体管的温度特性然后通过比较器设置保护点来关断输出。

过流保护模块OCP在譬如输出短路的情况下,通过检测输出电流来反馈控制输出管的状态,可以关断或者限流。如图13的电流采样,利用晶体管的电流和面积成正比来采样,一般采样管Q2的面积会是输出管面积的千分之一,然后通过电压比较器来控制MOS管的驱动。

恒流源电路可以说是所有电路的基石,带隙基准也是因此产生的,然后通过电流镜来为每一个功能模块提供电流,电流镜就是通过晶体管的面积来设置需要的电流大小


(素材来源:ttic和21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢)

一颗DC/DC降压电源芯片LM2675的内部设计原理和结构

LM2675-5.0的典型应用电路:电源芯片的内部全部单元模块。BUCK结构我们已经很理解了,这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动,并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管,实现稳压或者恒流输出。芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,因为这个电压值和硅的带隙电压相近,因此被称为带隙基准。这个值为1.2V左右,PN结的电流和电压公式:

可以看出是指数关系,Is是反向饱和漏电流(即PN结因为少子漂移造成的漏电流)。这个电流和PN结的面积成正比,即Is->S。

制造商:EPCOS / TDK产品种类:共模滤波扼流圈RoHS:是系列:B82789C端接类型:SMD/SMT电感:51 uH阻抗:550 mOhms容差:- 30 %, + 50 %最大直流电流:250 mA最大直流电阻:550 mOhms自谐振频率:-最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:1812 (4532 metric)资格:AEC-Q200封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel产品:Data Line Chokes商标:EPCOS / TDK产品类型:Common Mode Chokes工厂包装数量:2500子类别:Inductors, Chokes & Coils零件号别名:2 513H B82789C B82789C513H2单位重量:27 mg

过温保护模块OTP,温度保护是为了防止芯片异常高温损坏,原理比较简单,利用晶体管的温度特性然后通过比较器设置保护点来关断输出。

过流保护模块OCP在譬如输出短路的情况下,通过检测输出电流来反馈控制输出管的状态,可以关断或者限流。如图13的电流采样,利用晶体管的电流和面积成正比来采样,一般采样管Q2的面积会是输出管面积的千分之一,然后通过电压比较器来控制MOS管的驱动。

恒流源电路可以说是所有电路的基石,带隙基准也是因此产生的,然后通过电流镜来为每一个功能模块提供电流,电流镜就是通过晶体管的面积来设置需要的电流大小


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