6英寸SiC工艺在功率半导体方面的优势包括高工作电压、显著降低晶体管导通电阻、更低的传输和开关损耗、扩展的工作温度范围、导热系数更高、工作频率更高、寄生电容更低等等，可使客户实现高效功率半导体器件，包括MOSFET、JFET和肖特基二极管等。

SiC晶圆电源控制芯片能够提供更优异的耐高温、耐电压和大电流特性，使得SiC产品除了应用于现有用途之外，也能更好的适用于火车逆变器模组、电动汽车、车用充电器等新兴应用领域。

Model 3型汽车车，就全部使用了碳化硅半导体模块，每辆车会用到24个碳化硅模组，现今在道路上行驶的Model 3车辆中该碳化硅模块的数量约为100万。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:4.7 A Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV Qg-栅极电荷:19 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:16 S 下降时间:48 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:43 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:71 ns 典型接通延迟时间:25 ns 零件号别名:SI2323DS-E3 单位重量:40 mg

LMZM33606电源模块有三个显著优点：

EMI特性优良。开关电源是EMI的主要来源，其中一个原因是电流环路是高频的，模块已经把电容集成进去，可以把电流环路做到更小，这样就可以满足很多EMI标准。从模块规格上看，它可以满足EN55011和CISPR11辐射的标准。所以，EMI性能优越，工程师不再需要花时间调试EMI性能。

功率密度。将被动元器件，如电感、电容、电阻器件等集成到芯片里，采用QFN封装，下面是基板。因为有基板存在，所以热阻比较小，散热也比较好。再加入一些屏蔽电感，屏蔽电感比传统的电感EMI性能更高。

高压电源领域的氮化镓（GaN）功率器件LMG341x系列。

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