1Ω栅极串联电阻IM828系列的隔离双列直插式

发布时间:2020/12/12 8:26:31 访问次数:789

CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET，以提高系统可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。这个新的家族成员采用DIP 36x23D封装。

这使其成为1200 V IPM的最小封装，具有同类产品中最高的功率密度和最佳性能。IM828系列的隔离双列直插式封装具有出色的热性能和电气隔离性，满足高要求设计的EMI和过载保护要求。

该SiC IPM坚固耐用的6通道SOI栅极驱动器提供内置的死区时间，以防止瞬态损坏。它还在所有通道上提供欠压锁定（UVLO）功能，并具备过流关断保护功能。

采用ADI的LT3790作为变换器主芯片。其输入电压范围高达 60 VDC，开关频率可调，可控制四个外部 MOSFET，使设计具有高度灵活性。

设计和测量

升降压设计的主要特点：

6层双面布局印刷电路板

400 kHz 开关频率

功率电感电流纹波30%

紧凑型 60 V MOSFET，具有较低的 Rdson、Rth 和封装ESL

1 Ω 栅极串联电阻

使用 REDEXPERT，可以轻松、快速地确定直流偏置下的MLCC值，得出的值更接近实际。结果：必须考虑到输入电压为 24 V 时电容会减少 20％；因此有效电容只有23μF。将一个68 μF/35 VWCAP-PSLC 铝聚合物电容器(+串联一个 0.22 Ω SMD电阻,然后)与陶瓷电容器并联使用。

这有助于转换器的负输入+特性与输入+配合实现环路稳定性。由于该电容器也会有一定量的高脉冲电流流过，因此铝电解电容器在此案例中不太适用。较高的 ESR 会导致该类电容器温度过高。