8款不同的650 V CoolSiC MOSFET产品。英飞凌完善了其600V/650V细分领域的Si基、SiC以及GaN功率半导体产品组合。

8个不同的产品，采用两种插件TO-247封装。从静态导通电阻的角度来看，涵盖4款额定值在27 mΩ-107 mΩ之间的不同产品，目标市场主要是工业电源、光伏、充电桩、不间断电源系统以及能源储存，之后英飞凌也将会陆续推出更多的封装来满足不同应用领域的需求。

在电源领域，除了性能考量之外，它的坚固和可靠程度也是不能被忽略的，不然会造成以后不可挽回的成本和商誉的损失。英飞凌针对SiC产品的可靠度也做了很多方案，例如，增加坚固耐用度，优化栅极氧化层的可靠度；抗寄生导通，将VGS重新设计在大于4V上，以此降低一些噪音进来的“误导通”；优化适用于硬换向的体二极管等。

STM32F103RET6嵌入式-微控制器

核心尺寸:32-位  

速度:72MHz  

连接性:CAN，I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB  

外设:DMA，电机控制PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT  

I/O数:51  

程序存储容量:512KB（512Kx8）  

程序存储器类型:闪存  

EEPROM容量:-  

RAM容量:64Kx8  

电压-电源(Vcc/Vdd):2V~3.6V  

数据转换器:A/D16x12b;D/A2x12b  

振荡器类型:内部  

工作温度:-40°C~85°C  

封装:64-LQFP

新一代功率半导体可谓是势在必行，尤其是氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）的应用，或许将更快地推动未来电动汽车实现最佳性能的同时实现更低的能源损耗。很多半导体企业陆续调整在新材料方面的布局，包括CISSOID。

为延长电动汽车的行驶里程，降低整体系统成本，越来越多的电动汽车公司计划向800V电池过渡，制造商改用SiC功率晶体管作为牵引逆变器。基于SiC的功率模块可供使用，这些功率模块需要针对电动机驱动进行优化，将快速开关SiC电源模块集成到优化的逆变器中，包括栅极驱动器、去耦和水冷却，这给设计带来了极大的挑战。而完全优化和高度集成（IPM）的解决方案可以节省大量的开发时间和工程资源。