全新系列的高电压、高速闸极驱动器，适用于转换器、变频器、马达控制，以及 D 类功率放大器等应用。上述装置适用于最高 100V 的马达驱动应用，同时可支持以 200V 运作的功率转换及反转应用。这些功能使其非常适用于各种消费性与工业设计，包括电动工具、机器人与无人机，以及小型电动车。

DGD2003S8、DGD2005S8及DGD2012S8为涵盖半桥与高侧/低侧拓扑的 200V 闸极驱动器，并采用标准低矮型 SO-8 封装。这些装置具有接面隔离位准偏移技术，可建立浮动信道高侧驱动器，用于以最高 200V 运作的自举式拓扑，并可驱动使用半桥组态的两个 N 通道 MOSFET。

BSM300GA120DN2 (德国进口/全新原装）

英飞凌Infineon/EUPEC

IGBT 模块

全新原装

1200V

300 A

145C

BSM300GA120DN2BSM300GA模块性能：

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱

动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

富士通电子的全新车用FRAM 产品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit两个容量。其操作电压范围为1.8~3.6V，操作温度范围为摄氏零下40~125度，这样的宽温范围符合车用市场标准及高温环境下的工业应用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高达10兆次的写入次数，采用标准SOP-8封装。

汽车产业正经历史上最大幅度的转型。通过全新FRAM解决方案，我们得以支持创新公司将创意转化为实际产品。我们不只为全球的客户提供器件，更为基于此FRAM的每项开发项目提供顾问服务，与客户一起克服挑战并协助他们加快创新流程。

MB85RS128TY，MB85RS256TY现已提供工程样品。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）