电源开关接口与照明降压DC/DC开关稳压器
发布时间:2020/11/28 19:14:57 访问次数:1328
SiC制造产线转换6英寸SiC晶圆。碳化硅(SiC)晶圆的得以扩大SiC产品之供应，以因应光伏变频器及电动车等高成长市场需求；而英飞凌已将所有SiC产品转换至6英寸制造产线生产，因此与科锐的协议仅涵盖此类晶圆尺寸。
X-FAB计划将其位于美国德州拉伯克市的6英寸SiC工艺产能提高一倍。X-FAB被认为是第一家在6英寸晶圆上提供SiC工艺的晶圆代工厂，该公司购买了第二台加热离子注入机，将于今年底交付，并于明年第一季度开始生产（以及时满足近期的需求预期）。此次扩产也表明了其对SiC技术和代工业务模式的承诺。
电源管理产品共有6类，分别是降压DC/DC开关稳压器、电源开关接口与照明、电源管理、高压电源、线性电源、升压多通道多相位DC/DC。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:音频放大器 RoHS: 详细信息 系列:PAM8403 产品:Audio Amplifiers 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Diodes Incorporated 湿度敏感性:Yes 产品类型:Audio Amplifiers 工厂包装数量:2500 子类别:Audio ICs 单位重量:324.146 mg
三星的第五代V-NAND技术在性能方面其实也有不小的改进，它采用的Toggle DDR 4.0
接口运行速率已经从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同时工作电压也从1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速带来的能耗上升。此外读写延迟也有所下降，其读取延迟已压缩到50微秒，写入延迟降低30%达到500微秒。
3D NAND的制程技术改进细节三星并没有透露多少，目前可知的是每个存储层的厚度已经削薄了20%，以及文首处提及的30%产能提升。三星首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格.
(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SiC制造产线转换6英寸SiC晶圆。碳化硅(SiC)晶圆的得以扩大SiC产品之供应，以因应光伏变频器及电动车等高成长市场需求；而英飞凌已将所有SiC产品转换至6英寸制造产线生产，因此与科锐的协议仅涵盖此类晶圆尺寸。
X-FAB计划将其位于美国德州拉伯克市的6英寸SiC工艺产能提高一倍。X-FAB被认为是第一家在6英寸晶圆上提供SiC工艺的晶圆代工厂，该公司购买了第二台加热离子注入机，将于今年底交付，并于明年第一季度开始生产（以及时满足近期的需求预期）。此次扩产也表明了其对SiC技术和代工业务模式的承诺。
电源管理产品共有6类，分别是降压DC/DC开关稳压器、电源开关接口与照明、电源管理、高压电源、线性电源、升压多通道多相位DC/DC。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:音频放大器 RoHS: 详细信息 系列:PAM8403 产品:Audio Amplifiers 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Diodes Incorporated 湿度敏感性:Yes 产品类型:Audio Amplifiers 工厂包装数量:2500 子类别:Audio ICs 单位重量:324.146 mg
三星的第五代V-NAND技术在性能方面其实也有不小的改进，它采用的Toggle DDR 4.0
接口运行速率已经从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同时工作电压也从1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速带来的能耗上升。此外读写延迟也有所下降，其读取延迟已压缩到50微秒，写入延迟降低30%达到500微秒。
3D NAND的制程技术改进细节三星并没有透露多少，目前可知的是每个存储层的厚度已经削薄了20%，以及文首处提及的30%产能提升。三星首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格.
(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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