氮化镓适用于高频电源，而碳化硅则适用于要求更高功率和鲁棒性的应用，例如电机驱动和工业电源。随着宽禁带器件在市场上的地位越来越稳固，在技术采用上将变得更加明确。

制造氮化镓 HEMT 所涉及的每一道工序都必须非常精确，以获得最佳的器件性能和可靠性。宽禁带器件的快速开关、高功率密度和高电压击穿，要求极高质量的外延层和电介质沉积，以及精确的刻蚀和金属沉积。

MOCVD在衬底上生长各种外延层，对氮化镓器件的制造至关重要。缺陷密度、晶圆内均匀性和晶圆到晶圆的可重复性是MOCVD开发的关键考虑因素，特别是过渡到200mm时。

特点

锂电池正负极反接保护；

高达 500mA 的可编程充电电流；

无需 MOSFET、检测电阻器或隔离二极管；

用于单节锂离子电池

恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危 险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能；

可直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电；

精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压；

最高输入可达 9V； ·自动再充电；

2 个充电状态开漏输出引脚；

C/10 充电终止；

待机模式下的供电电流为 40uA；

2.9V涓流充电器件版本；

软启动限制了浪涌电流；

采用 6 引脚 SOT-23 封装。

应用

充电座 

蜂窝电话、PDA、MP3播放器

蓝牙应用 典型应用 500mA 单节锂离子电池充电器

鉴于氮化镓和硅在膨胀过程中不同的晶格常数和热系数，在硅上生长外延氮化镓以形成稳定可靠的HEMT，从超晶格结构和应力控制方面来说是一个非常具有挑战性的工艺。

刻蚀是制造氮化镓器件的关键工艺。其中存在两个明显的难题：一个是氮化镓/铝镓氮的高选择比;另一个是p型氮化镓刻蚀可能存在铝镓氮的过度刻蚀，导致表面粗糙，从而降低表面电阻。此外，带有凹陷栅极的HEMT需要一定的铝镓氮厚度，这一厚度必须是精确控制且高度可重复的。原子层精度和先进的工艺终点监测至关重要。

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