增加分辨率可进一步提高过采样性能。两种采样技术，利用AD7380系列的分辨率提升特性可以直接添加额外的2位分辨率。AD7380系列是高速SAR ADC，可减轻微控制器上SPI的负担，使其可进行额外的数据处理。AD7380系列器件高度可靠，可提高ADC转换精度。

10log(fS/(2 × BW))为过程增益。

fS/(2 × BW)为采样比或奈奎斯特比率。

包括了处理增益，以考虑在2 × BW之外采样的额外过采样过程。将采样频率提高k倍(其中k是参与平均的样本数或过采样率)，会导致SNR提高。

过采样 = k × (fS/(2 × BW))

理想情况下，k的值加倍会使SNR提高3 dB。

说明了在不同的过采样率下，典型的正常和滚动平均过采样对SNR的影响。随着过采样率的增加，SNR也会提高。

AD7380正常平均过采样的典型SNR性能，AD7380滚动平均过采样的典型SNR性能

制造商:ON Semiconductor产品种类:监控电路RoHS:是类型:Voltage Detectors安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-82AB-4阈值电压:3.7 V被监测输入数:1 Input人工复位:No Manual Reset看门狗计时器:No Watchdog电源电压-最大:10 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C准确性:2 %系列:NCP305封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:ON Semiconductor过电压阈值:3.774 V欠电压阈值:3.626 V工作电源电流:1 uA产品类型:Supervisory Circuits工厂包装数量:3000子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:0.8 V

3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

DMT47M2LDVQ 整合了两个 n 信道增强模式 MOSFET，并就此配置实现了业界最低的 RDS(ON) - 在 10V 的 VGS 和 30.2A 的 ID 时仅为 10.9mΩ。在如此低的导通电阻下，无线充电或马达控制等产品应用中的传导损耗可降至最低。在 10V 的 VGS 和 20A 的 ID 时，典型的栅极电荷为 14.0nC，将交换损耗降至最低。

DMT47M2LDVQ 的高导热效率 PowerDI® 3333-8 的结壳间热阻 (Rthjc) 为 8.43°C/W，可以开发出比单独封装 MOSFET 功率密度更高的终端产品应用。如此便能减少实作汽车功能 (诸如 ADAS 等) 所需的 PCB 面积。

DMT47M2LDVQ 符合 AEC-Q100 Grade 1 等级规范，能支持 PPAP 文件，且以 IATF 16949 标准认证的生产设施制造。