Atmel开发65纳米工艺闪存
发布时间:2007/8/31 0:00:00 访问次数:350
Atmel已开始着手耗费数百万美元的Flash开发项目，计划将器件生产工艺降至65nm。
“我们已经开始了一项为期三年的下一代Flash研发项目” Atmel公司Peter Bishop说。“我们正在开发NAND 和 NOR的130nm、90nm 和 65nm工艺，即可用于标准产品市场，也可用于嵌入式Flash市场。”
第一个产品采用130nm，将在明年推出。Atmel正在开发90nm工艺，并在法国南部的Rousset工厂安装它的第一个90nm设备。
Atmel 拥有多极单元闪存技术许可权，但是否在产品中使用这项技术尚未决定。
Atmel已开始着手耗费数百万美元的Flash开发项目，计划将器件生产工艺降至65nm。
“我们已经开始了一项为期三年的下一代Flash研发项目” Atmel公司Peter Bishop说。“我们正在开发NAND 和 NOR的130nm、90nm 和 65nm工艺，即可用于标准产品市场，也可用于嵌入式Flash市场。”
第一个产品采用130nm，将在明年推出。Atmel正在开发90nm工艺，并在法国南部的Rousset工厂安装它的第一个90nm设备。
Atmel 拥有多极单元闪存技术许可权，但是否在产品中使用这项技术尚未决定。
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