新型ThermoFuse压敏电阻是基于压敏电阻的深度开发，串联了一个获得专利的热保护元件。若持续过压导致压敏电阻发热，熔丝就会熔断并可靠地将压敏电阻从电路连接中断开，从而防止压敏电阻周围的印刷电路板或元件损坏。断开电源能有效防止热失控。

凭借卓越的耐热性和阻燃材料制成的外壳，ThermoFuse MT25和MT30系列压敏电阻实现了高达UL 94 V-0的阻燃等级（详情可参照第四版的UL 1449标准）。

新系列压敏电阻广泛用于各类应用，包括光伏逆变器、高功率工业电源和变频器，以及照明和电信系统的电源。

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块产品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V在25 C的连续集电极电流:75 A最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:Econo 2封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:Screw

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules配置:3-Phase集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V在25 C的连续集电极电流:78 A栅极—射极漏泄电流:200 nA最大工作温度:+ 150 C商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 55 CPd-功率耗散:400 W工厂包装数量:10

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低25%，接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善。

SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。让源极电位 (而非汲极电位) 能通过导热片连接至 PCB。与现有技术相比，此版本最终可使 RDS(on)大大降低 25%。相较于传统的PQFN 封装，接面与外壳间的热阻 (RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。经过优化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

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