3DJ6的引脚排列如金属圆壳封装是最常见的封装。3DJ6场效应管的主要参数为：耐压值为20V，功率PD为100mW，漏极电流IDSS的大小与后缀字母有关，该管后缀字母不同，IDSS也不一样。3DJ6D的IDSS为0.35～0.5mA，3DJ6E为0.3～1.2mA，3DJ6F为1.0～3.5mA，3DJ6G的IDSS为3.0～6.5mA，3DJ6H为6.0～10mA。

3DJ6结型场效应管的输入阻抗高，输入噪声小，以前常用来作为扩音机前级电路的低噪声放大器和阻抗变换器。在稳压电源电路中，还常用该管代替恒流二极管作为恒流元件，以提高稳压电源的稳压性能。

Microchip 通过 AEC-Q101 认证的碳化硅肖特基二极管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB® Mindi™ 模拟仿真器。同时还提供Microchip SBD(1200V, 50A)作为功率级的一部分的PLECS参考设计模型，即Vienna三相功率因数校正(PFC)参考设计。

Microchip车用的700和1200V SiC SBD器件(也可作为功率模块的裸片)已经通过AEC-Q101认证.

Microchip持续拓展车用电源解决方案，引领汽车电气化领域的电源系统转型。我们一直专注于提供汽车解决方案，帮助客户轻松过渡到碳化硅(SiC)，同时将质量、供应和支持挑战的风险降至最低。

Microchip作为汽车行业供应商的历史已经超过25年。公司拥有碳化硅(SiC)技术以及多个通过IATF 16949:2016认证的制造工厂，可通过灵活的制造方案提供高质量器件，帮助最大限度地降低供应链风险。

经过Microchip内部以及第三方测试，关键可靠性指标已经证明，与其他厂商生产的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。与其他在极端条件下出现性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同，Microchip 器件性能保持稳定，有助于延长应用寿命。

N沟道结型场效应管3DJ6的基本应用

3DJ6构成的可调恒流源电路。

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