氧化镓(Ga2O3)作为新兴的第三代宽禁带半导体，具有超宽禁带、高击穿场强等优点。它是一种透明的氧化物半导体材料，由于其优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

传统Ga2O3主要应用于Ga基半导体的绝缘层以及紫外滤光片，目前国内外研究热点主要聚焦于大功率器件。Ga2O3有5种晶体结构，分别为斜方六面体(α)、单斜晶系(β)、缺陷尖晶石(γ)、立方体(δ)以及正交晶体(ε)。β-Ga2O3因为高温下的稳定性，所以逐渐成为近几年来国内外的研究热点。

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司

制造商:Panasonic产品种类:薄膜电容器RoHS:是系列:ECWF(L)端接类型:Radial产品:RF Microwave Film Capacitors电介质:Polypropylene (PP)电容:0.39 uF电压额定值 DC:630 VDC容差:3 %引线间隔:12.5 mm引线类型:Crimped最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C长度:20.5 mm宽度:12.4 mm高度:24 mm封装:Bulk类型:Metallized Polypropylene Film Capacitors商标:Panasonic管脚数量:2电容-nF:390 nF电容-pF:390000 pF引线直径:0.8 mm产品类型:Film Capacitors工厂包装数量:100子类别:Capacitors单位重量:6 g

β-Ga2O3主要有以下优点：

β-Ga2O3的禁带宽度为4.8～4.9 eV，击穿场强高达8 MV/cm。巴利加优值是低损失性能指标，而β-Ga2O3的巴利加优值高达3 400，大约是SiC的10倍、GaN的4倍。在制造相同耐压的单极功率器件时，元件的导通电阻比SiC、GaN低得多，极大降低器件的导通损耗；

可以利用区熔法(Fz)、直拉法(Cz)、边缘定义的薄膜馈电生长(EFG)等熔融法来生长大尺寸、高质量的β-Ga2O3本征单晶衬底材料，可以从大块单晶中得到Ga2O3晶片。相比较SiC和GaN生长技术，更容易获得高质量、低成本的单晶材料；

可以利用分子束外延(MBE)、金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)、射频(RF)磁控溅射等方法生长高质量氧化镓外延层。可以对Ga2O3外延层进行n型掺杂，相较于金刚石、SiC等其他半导体材料，方法更为简单。

β-Ga2O3的电子迁移率和热导率较低，限制了其在高频大功率器件的应用。介绍国内外氧化镓的场效应晶体管(FET)的研究进展，对Ga2O3功率器件存在的问题进行了思考与总结。

(素材来源：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）