低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品 uMCP5。美光 uMCP5 将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中，使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载，显著提升速度和功效。

多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及领先的 UFS3.1 控制器，实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的高级功能。uMCP5 的出现使诸如图像识别、高级人工智能(AI)、多摄像头支持、增强现实(AR)和高分辨率显示等最新技术能在中高端手机上予以普及，从而惠及更多的消费者。

要将 5G 的潜力从宣传层面变为现实，需要智能手机能够应对通过网络和下一代应用程序传输的海量数据。

AD7134的主要特性：

无混叠：一般固有高达102.5dB的抗混叠抑制功能

THD：一般为-120dB(非常适合用于AC、振动或声学测量)

108dB动态范围(ODR = 374kSPS)

多个线性相位数字滤波器选项(使用SINC6实现低延迟，使用FIR实现通带平坦度)

失调误差漂移：0.7uV/°C(典型值)

Gain drift: 2ppm/°C typical

增益漂移：2ppm/°C(典型值)

碳化硅(SiC) MOSFET的SIC118xKQ SCALE-iDriver™门极驱动器现已通过AEC-Q100汽车级认证。这款高效率单通道器件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求，并且集成了先进的安全和保护特性。

SIC1182KQ (1200 V)和SIC1181KQ (750 V)门极驱动器IC集成了PI革命性的FluxLink™通信技术，可提供优异的绝缘能力，并且实现安全可靠、高性价比的300 kW以下逆变器设计。

主要特性包括：

SiC MOSFET优化的高级有源钳位(AAC)

原方和副方欠压保护(UVLO)

超快速短路检测

轨到轨输出电压且稳压

副方单极电源供电

碳化硅MOSFET技术有助于实现更轻便小巧的汽车逆变器系统。尽管SiC的开关速度和工作频率更高，但SCALE-iDriver的低门极电阻值可用来维持高开关效率，小于2 µs的短路关断时间可在发生故障时快速为系统提供保护。