在DSl210中，VCCO引脚为供电输出端，负责向系统供电；VBAT1引脚为外接电池1输入端；TOL引脚为电源电压允许偏差输入端，用于设置对电源电压偏差的控制范围；

GND引脚为接地端；引脚为片选使能信号输入，用于决定DSl210是否工作，低电平有效；引脚为片选使能信号输出端，提供给系统的片选信号输入，低电平有效；V。BAT2引脚为外接电池2，冗余电池；VCC引脚为电源输入。

基于DSl210的存储器系统结构分析

用电池能够给RAM的电源供电，DSl210电源监视控制器还必须提供五个功能电路。

一个电子开关，以便在电源工作正常时，把电源输出VCCO直接连到输入电源VCCI；而如果工作电源偏差超出了允许范围，电子开关应能迅速把电源输出VCCO连接到备用电池上，以让电池代替工作电源对RAM供电。这个开关的电压降一般来说要求低于0．3 V。

控制器还提供一个用于探测电源不稳定性的功能电路。它会不断的监视系统电源输入VCCI，同时片内还提供了一个精密比较仪，用于探测输入偏差，当探测到系统电源偏差超出了允许范围，DSl210将抑制片选输出信号并使之无效。

DDR2-3基本上需要三条电源轨：一个给内核供电的主电源(VDDQ)、一个给输入级供电的参考电压(VTTREF)和一个给非数据线路供电的终结电压(VTT)。JEDEC联合会要求在宽负载范围内，主电源电压必须有很高的调整精度，VTTREF必须保持在VDDQ的二分之一，然后，VTT必须保持在参考输出电压值，并具有源出和灌入电流功能。根据先进配置和电源接口标准(ACPI)，所有输出必须支持“挂起到内存”和“挂起到硬盘”两种系统睡眠状态。 　　

一个双DDR2 SODIMM配置的供电电路。提供VDDQ电压的控制器采用恒定导通时间架构，几乎可以使开关频率保持恒定，可以实现快速负载瞬变电压响应，低功耗工作模式有助于开关能效在DDR内存的全程负载范围内最大化。

给非数据线路供电的VTT由内置LDO线性稳压器提供，低噪缓冲器给内存提供VTTREF。控制器的开关频率很高，可以最大限度减少外部电源配套组件(电感器和输出电容)，再加上极小的封装和先进的功能(可选输出放电模式、无功耗电流检测)以及基本保护功能(过压保护、欠压保护和热关机)。

基于PDSl210的微处理器存储电路设计

基于DSl210的微处理器存储系统的电源监控电路。它可以实现对RAM的写保护，以保证RAM数据读写的准确和可靠。

2脚和7脚分别是两个接电池的管脚，外接电池1和电池2；而6脚，即片选输出管脚接RAM的片选使能信号输入管脚；4脚为接地管脚；存储器的工作电源输入脚VCCI接+5 V电源；DSl210的电源输出脚VCCO连接到RAM的电源输入VCC端，以对RAM提供电源。

把偏差控制脚3接地时，系统即认为VCCI在4．75～5．5 V之间变化的正常供电状态。只有当VCC低于4．75 V或者高于5．5 V时，系统就会视供电电源为失效或不正常，从而做出相应的反应。

系统启动后，首先检测电池状态是不是满足要求，如果不满足，报警电路就会发出报警。紧接着用于探测电源偏差的精密比较器电路会对输入的工作电源VCCO进行监视。