芯片内部的高精度电压基准源、误差放大器和电阻分压网络确保电池端调制电压的精度在1%以内，满足锂离子电池和锂聚合物电池的要求。当输入电压低于欠压锁定阈值电压或者输入电压低于电池电压时，充电器进入低功耗的睡眠模式，此时电池端消耗的电流小于  2uA。

TP4056  内部的智能温度控制电路在芯片的结温超过125℃时自动降低充电电流，这个功能可以使用户最大限度的利用芯片的功率处理能力，不用担心因为过热而损坏芯片或者外部元器件。

用户在设计充电电流时，可以不用考虑最坏情况，而只是根据典型情况进行设计因为在最坏情况下，TP4056会自动减小充电电流。

如果将使能输入端 CE接低电平，充电器停止充电。

最大充电电流：1A

无需 MOSFET、检测电阻器和隔离二极管

智能热调节功能可实现充电速率最大化

智能再充电功能

预充电压：4.2V±1%

C/10 充电终止

待机电流 40uA

BAT 超低自耗电 1uA

2.9V 涓流充电阈值

单独的充电、结束指示灯控制信号

封装形式：SOP8(带散热底座)

施加较小的栅极电压（Vgs Vt），则会在漏极（d）和源极（s）之间创建一个通道，从而使漏极-源极电流（Ids）流动。

在导通状态下，漏极电流（Ids）与漏极电压（Vds）线性增加，直到（Vds = Vgs = Vdsat），之后漏极电流保持恒定。如果漏极电压进一步增加到该值（Vds > Vdsat），此时晶体管可能会产生其最大电流限制，该晶体管将处于饱和状态。

举例来说，如果你不停地消耗大量的食物，根据你的体力限制，你能做的工作是有最大限度的，也就是说，你消耗再多的食物都被认为是浪费了。晶体管也受到它的物理限制，如它的特征尺寸（W和L）和它的掺杂水平（它所包含的杂质数量）的限制。