特殊的GaN技术和优化的栅极驱动器
发布时间:2020/10/15 22:58:56 访问次数:1221
从概念验证到定制设计可能会充满挑战。评估板的原理图是一个很好的起点,但是,高频开关应用设计难度很大。如果PCB上走线太长,会引发寄生电感的问题。对于半桥电源变换器,集成两个GaN晶体管很重要,而大多数竞品仅提供一个GaN晶体管。
MASTERGAN1之所以独一无二,是因为它是当今唯一集成两个GaN晶体管的电源解决方案。因此,工程师不必处理与这类应用相关的复杂的驱动问题。
同样,特殊的GaN技术和优化的栅极驱动器使系统不需要负电压电源。
MASTERGAN1还具有兼容20 V信号的输入引脚。工程师可以将其与现有和即将推出的各种控制器配合使用。
工程师还必须着手解决尺寸限制这一重要问题。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
输出电压: 1 V to 28 V
输出电流: 1 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 36 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4 V
开关频率: 2.1 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: LMR50410-Q1
封装: Cut Tape
封装: Reel
输入电压: 4 V to 36 V
静态电流: 80 uA
类型: Synchronous
商标: Texas Instruments
关闭: Shutdown
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 90 uA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最小: 4 V
手机充电器必须保持小巧的设计。MASTERGAN1封装的尺寸仅为9 mm x 9 mm,这是一个很大的优势。该系列今后几个月还计划推出引脚兼容的新产品。
加强版GaN FET管设计了MASTERGAN1栅极驱动器,从而提高了系统性能和可靠性。
针对GaN FET优化的欠压锁定(UVLO)保护可防止在低电源电压下工作时能效严重降低和潜在问题。同样,集成的热关断功能可防止器件过热。
栅极驱动器的电平转换器和高效输入缓冲功能给GaN栅极驱动器带来非常好的鲁棒性和抗噪性。最后,关闭引脚允许通过MCU的专用引脚将功率开关设为空闲模式。
放大器类型J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/μs增益带宽积3MHz电流 - 输入偏置50pA电压 - 输入补偿5mV电流 - 供电3.6mA电压 - 供电,单/双 (±)±3.5V ~ 18V工作温度0°C ~ 70°C安装类型表面贴装型
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
从概念验证到定制设计可能会充满挑战。评估板的原理图是一个很好的起点,但是,高频开关应用设计难度很大。如果PCB上走线太长,会引发寄生电感的问题。对于半桥电源变换器,集成两个GaN晶体管很重要,而大多数竞品仅提供一个GaN晶体管。
MASTERGAN1之所以独一无二,是因为它是当今唯一集成两个GaN晶体管的电源解决方案。因此,工程师不必处理与这类应用相关的复杂的驱动问题。
同样,特殊的GaN技术和优化的栅极驱动器使系统不需要负电压电源。
MASTERGAN1还具有兼容20 V信号的输入引脚。工程师可以将其与现有和即将推出的各种控制器配合使用。
工程师还必须着手解决尺寸限制这一重要问题。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 开关稳压器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-6
输出电压: 1 V to 28 V
输出电流: 1 A
输出端数量: 1 Output
最大输入电压: 36 V
拓扑结构: Buck
最小输入电压: 4 V
开关频率: 2.1 MHz
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: LMR50410-Q1
封装: Cut Tape
封装: Reel
输入电压: 4 V to 36 V
静态电流: 80 uA
类型: Synchronous
商标: Texas Instruments
关闭: Shutdown
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 90 uA
产品类型: Switching Voltage Regulators
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
电源电压-最小: 4 V
手机充电器必须保持小巧的设计。MASTERGAN1封装的尺寸仅为9 mm x 9 mm,这是一个很大的优势。该系列今后几个月还计划推出引脚兼容的新产品。
加强版GaN FET管设计了MASTERGAN1栅极驱动器,从而提高了系统性能和可靠性。
针对GaN FET优化的欠压锁定(UVLO)保护可防止在低电源电压下工作时能效严重降低和潜在问题。同样,集成的热关断功能可防止器件过热。
栅极驱动器的电平转换器和高效输入缓冲功能给GaN栅极驱动器带来非常好的鲁棒性和抗噪性。最后,关闭引脚允许通过MCU的专用引脚将功率开关设为空闲模式。
放大器类型J-FET电路数2输出类型-压摆率13V/μs增益带宽积3MHz电流 - 输入偏置50pA电压 - 输入补偿5mV电流 - 供电3.6mA电压 - 供电,单/双 (±)±3.5V ~ 18V工作温度0°C ~ 70°C安装类型表面贴装型
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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