50%以上占空比脉宽调制 (PWM) 降压转换器的电流模式控制 (CMC)可能会进入次谐波振荡。这种解决方案给电流检测信号增加一个斜率，其等于输出电感电流的下斜率。需将该额外电压加入要求计算过程中，以便选择正确的电流检测电阻器。

输出电感占空比大于 50% 的推挽式转换器、相移全桥转换器或者任何正向转换器，都是一些需要这种补偿的拓扑结构。拓扑是一种人们相对不熟悉的拓扑结构：三开关正向转换器。尽管这种拓扑的专利权归 TI 所有，但电路中使用 TI 控制 IC 时都可以使用。

这种拓扑拥有许多优点，特别是输入电压范围为手机电池的 36 到 72 V 时。拓扑的最大占空比为 67%，从而将设计限定在 67% 最小输入电压时的最大占空比。与此同时，关闭时主开关的电压被限定为电源轨输入电压。这就意味着，低压FET会与其相应低 RDS（on） 电阻一起使用。这种拓扑还提供了一种恢复电源变压器和主侧漏电感中磁能的方法，从而不再需要高损耗的缓冲器。

英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET，实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装，使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的理想选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入（design in）的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供优秀的栅极电荷，最适合直流-直流转换。

OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可用于最具挑战性的应用，充分灵活地优化空间、效率和成本。OptiMOS™ 产品经设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

MOSFET 特性

经优化的 SyncFET，用于高性能降压转换器

100% 经雪崩测试

N 沟道

非常低的导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V

超低栅极(Qg)和输出电荷(Qoss）（对于给定 RDS(on)

按照 JEDEC 标准符合目标应用要求

出色的热阻

无铅电镀；符合 RoHS 要求

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

应用

服务器的板载电源

高性能计算的电源管理

同步整流

高功率密度负载点转换器

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TDSON-8

通道数量:

1 Channel

晶体管极性:

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:

150 V

Id-连续漏极电流:

50 A

插到墙上电源插座的普通墙上适配器每年要花去用户大约 3 美元。通过“能源之星”计划，北美许多国家正致力于降低该费用，以及减少制造该电源所带来的污染。许多墙上适配器和其他低功耗隔离式电源都使用了反向转换器，因为其结构简单、成本较低。

反向转换器并非以高效率见长，低输出电压时更是如此。在那些效率至上的应用中，不要操之过急地将反向转换器从备选解决方案中去除。只需运用一些我们都知道的小技巧，就可以将反向转换器的效率提高大约 10%。

在传统的二极管整流反向转换器中，输出二极管整流器是产生功率损耗的一个重要原因。输出二极管的平均电流等于 DC 输出电流，而峰值电流可能是其数倍，具体情况取决于占空比。肖特基二极管的二极管正向压降通常为 0.5V，而标准 PN 结型二极管的二极管正向压降为 0.8V。这种大正向压降会带来二极管中相对较高的损耗，大大降低了效率。使用同步 MOSFET 来替代二极管可极大地降低这些传导损耗。标准二极管整流反向电源如何被转换为自驱动同步反向电源。