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耐能KL720芯片的3大优势 三大优势

发布时间:2020/9/10 23:15:12 访问次数:2033

耐能KL720采用自主研发的KDP720系列NPU IP,内置ARM Cortex-M4 CPU、FPU与Cadence P6 DSP,算力最高可达1.5TOPS,并支持CNN与RNN。

凭借独特可重构技术,其可重新配置IP,能在相同的硬件架构中支持不同的CNN模型,提升使用率高达70%。

耐能KL720芯片拥有三大优势:

性能完备、功耗极低、安全性高、算力强大

可支持4K图像、1080p高画质影片和自然语言音频处理

可支持设备抓取更多细节,精准识别脸部和语音

MobileNetV2测试结果,KL720的性能比市场上很多芯片的边缘TPU高出4倍之多。

在性能完备的情况下,相较市场同类芯片,KL720将功耗降低了超过50%,能够以极低的功耗为终端设备提供强大运算算力。

目前大疆无人机上使用的芯片,KL720可在保持各种性能不变的前提下,其功耗能降低一半,可将电池寿命延长一倍。

边缘定位误差导致VC-M1良率损失的7nm 6T SRAM模型,采用的技术包括结构构建、模型校准、虚拟量测、失效分类、良率预测和工艺窗口优化。分析结果表明通过工艺窗口优化功能和收紧规格要求可以将良率从48.4%提高到99.0%。可以看出,虚拟制造可广泛应用于各种良率提升研究,而这些研究的结果将推动半导体工艺和技术的发展。

容量为4 Mb的EEPROM是目前市场上面向开发人员的最大容量EEPROM,将此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前为止,开发人员在所有2Mb+非易失性数据集应用程序上一直采用的是低成本的NOR闪存集成电路。由于EEPROM性能超过NOR闪存,为满足客户要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的优势包括:待机电流更低(从15 μA降低至2 μA),可执行单字节、多字节和整页写入、扇区擦除/重写时间更短(从300 ms缩短至5 ms)和擦除/重写次数更多(从10万次提升至100万次)。

充分挖掘串行EEPROM潜力可以为产品创新提供支持,设计人员现在可以对系统进行重新评估,并利用这项新技术来优化设计性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip阵容庞大的非易失性存储器产品组合的一部分。该产品组合集成了Microchip全部系统解决方案,支持8位、16位和32位单片机和微处理器。Microchip丰富的存储器产品系列包括串行EEPROM、NOR闪存,SRAM和EERAM,这些产品支持所有串行总线标准,以及从128位至64Mb的所有标准密度。

Microchip公司始终致力于推出新的串行EEPROM,每年向客户交付EEPROM器件约10亿件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存储器产品入门工具包支持。该工具包含有串行存储器接口板、串行EEPROM入门软件包、USB电缆、包含MPLAB X的集成开发环境的光盘、Total Endurance™软件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存储器件提供三种封装选项.


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)

耐能KL720采用自主研发的KDP720系列NPU IP,内置ARM Cortex-M4 CPU、FPU与Cadence P6 DSP,算力最高可达1.5TOPS,并支持CNN与RNN。

凭借独特可重构技术,其可重新配置IP,能在相同的硬件架构中支持不同的CNN模型,提升使用率高达70%。

耐能KL720芯片拥有三大优势:

性能完备、功耗极低、安全性高、算力强大

可支持4K图像、1080p高画质影片和自然语言音频处理

可支持设备抓取更多细节,精准识别脸部和语音

MobileNetV2测试结果,KL720的性能比市场上很多芯片的边缘TPU高出4倍之多。

在性能完备的情况下,相较市场同类芯片,KL720将功耗降低了超过50%,能够以极低的功耗为终端设备提供强大运算算力。

目前大疆无人机上使用的芯片,KL720可在保持各种性能不变的前提下,其功耗能降低一半,可将电池寿命延长一倍。

边缘定位误差导致VC-M1良率损失的7nm 6T SRAM模型,采用的技术包括结构构建、模型校准、虚拟量测、失效分类、良率预测和工艺窗口优化。分析结果表明通过工艺窗口优化功能和收紧规格要求可以将良率从48.4%提高到99.0%。可以看出,虚拟制造可广泛应用于各种良率提升研究,而这些研究的结果将推动半导体工艺和技术的发展。

容量为4 Mb的EEPROM是目前市场上面向开发人员的最大容量EEPROM,将此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前为止,开发人员在所有2Mb+非易失性数据集应用程序上一直采用的是低成本的NOR闪存集成电路。由于EEPROM性能超过NOR闪存,为满足客户要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的优势包括:待机电流更低(从15 μA降低至2 μA),可执行单字节、多字节和整页写入、扇区擦除/重写时间更短(从300 ms缩短至5 ms)和擦除/重写次数更多(从10万次提升至100万次)。

充分挖掘串行EEPROM潜力可以为产品创新提供支持,设计人员现在可以对系统进行重新评估,并利用这项新技术来优化设计性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip阵容庞大的非易失性存储器产品组合的一部分。该产品组合集成了Microchip全部系统解决方案,支持8位、16位和32位单片机和微处理器。Microchip丰富的存储器产品系列包括串行EEPROM、NOR闪存,SRAM和EERAM,这些产品支持所有串行总线标准,以及从128位至64Mb的所有标准密度。

Microchip公司始终致力于推出新的串行EEPROM,每年向客户交付EEPROM器件约10亿件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存储器产品入门工具包支持。该工具包含有串行存储器接口板、串行EEPROM入门软件包、USB电缆、包含MPLAB X的集成开发环境的光盘、Total Endurance™软件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存储器件提供三种封装选项.


(素材:chinaaet.如涉版权请联系删除)

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