新产品、应用演示和技术专家团将随意法半导体2020年STM32全国研讨会一起“拜访”国内城市。作为第14届STM32全国研讨会，此次活动仍将注重于为本地市场和客户创造与ST解决方案面对面的机会。ST与国内的教育机构保持合作，参加了诸多本地行业展览会.

并在我们的活动页面上报名参展。为了迎接全国研讨会活动的到来，我们将发布一系列文章。重点讨论云计算、网络连接以及工业与安全应用。人工智能和感知技术，以及我们如何将这些创新成果全都整合在一起。

STM32 Nucleo开发板插接Quectel 的NB - IoT shield板的功能演示。我们还将展示Quectel和Fibocom开发的LTE Cat 1 shields板卡。这种演示方式非常有意义，I-CUBE-QUECTEL软件扩展包让开发人员能够创建通过NB-IoT发送传感器数据的应用。虽然工程师早已知道ST提供这样的扩展软件，但是在亲自看到软件运行后，会对该解决方案的实用性有更深刻的理解。 ST代表将帮助他们解决开发难点，从而更快地启动开发项目。

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

发货限制：

此产品可能需要其他文件才能从美国出口。

RoHS: N

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO: 3300 V

集电极—射极饱和电压: 3.4 V

在25 C的连续集电极电流: 660 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

Pd-功率耗散: 4.8 kW

封装 / 箱体: IHM

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

封装: Tray

高度: 38 mm

长度: 140 mm

技术: Si

宽度: 130 mm

商标: Infineon Technologies

安装风格: Chassis Mount

栅极/发射极最大电压: 20 V

产品类型: IGBT Modules

工厂包装数量: 2

子类别: IGBTs

零件号别名: FF400R33KF2CNOSA1 SP000100614 FF400R33KF2CNOSA1，400 A 130 mm双  采用第二代IGBT和发射极控制二极管 - 为牵引和工业应用提供经验丰富的解决方案。

也可用作200 A半桥模块：特征描述高可靠性和坚固的模块结构优势高功率密度可实现紧凑型逆变器设计标准封装应用领域

TCAD解决方案被SemiQ 采用，SemiQ是碳化硅电源设备、模块和外延片的开发商和制造商。

Victory TCAD是一个经过行业充分验证的过程和器件建模解决方案，它允许用户在2D或3D中虚拟原型真实的器件，并在直流、交流和瞬态模拟中测试器件性能。基于物理的TCAD设备与周围SPICE电路配对的能力允许用户可在实际电路中的开发产品。

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(素材：eccn和ttic.如涉版权请联系删除）