不过微型凸块不会很快在市场上消失，微型凸块和混合键合技术都将在市场上占据一席之地，这取决于具体的应用。

智能设备如手机、PC、平板电脑甚至到自动驾驶汽车、智慧工厂、云视频提供商，海量数据的产生正在快速驱动高速数据和模拟集成电路的增长需求，芯片复杂度也快速提升。

为满足市场对IC高速测试的需求，史密斯英特康推出DaVinci56高速测试插座系列，可用于测试人工智能、自动驾驶、400G以太网交换机，路由器及网络处理器等应用的集成芯片。

DaVinci测试插座应用,Imec 正在开发一种使用 TCB 实现的 10μm 间距技术，7μm 和 5μm 也正在研发中。40μm 凸块间距有足够的焊接材料来补偿电流变化。当缩放到 10μm 或更小的间距时，情况将会发生变化，在细间距的微泵中，电流量和良好的连接取决于 TCB 工具的精度、错位、倾斜以及焊料的变形量。

三款显卡 : RTX 3090 24GB, RTX 3080 10GB 和 RTX 3070 8GB。

外媒称，英伟达合作伙伴也在准备 RTX 3080 的第二种版本，显存翻倍至 20GB，但目前这一型号还处于 “TBA”阶段，可能会在稍后推出。

报道称，GeForce RTX 安培显卡将引入第二代光线追踪核心和第三代张量核心，新卡还将支持 PCI Express 4.0，还有 HDMI 2.1 和 DisplayPort 1.4a 接口。

以下是 Videocardz 制作的参数表格：

GeForce RTX 3090 采用 GA102-300 GPU, 5248 CUDA 核心，384 bit 位宽，24GB GDDR6X 显存，最大的理论带宽 936 GB/s，350W 整板功率。

RTX 3080 拥有 4352 个 CUDA 核心 和 10GB 的 GDDR6X 显存，320 bit 位宽，最大带宽 760 GB/s ，TGP 为 320W。

220W，CUDA 的核心规格还有待确认。

外媒称他们拿到的数据显示RTX 30系列显卡采用了7nm工艺，但不能完全确认。

混合键合技术正在发展，台积电最有发言权，其正在研究一种叫做集成芯片系统（SoIC）的技术。使用混合键合，台积电的 SoIC 技术可以实现低于微米的键合间距。据悉，SoIC 的缓冲垫间距是现有方案的 0.25 倍。高密度版本可以实现 10 倍以上的芯片到芯片的通信速度，高达近 2000 倍的带宽密度和 20 倍的能源效率。

台积电的 SoIC 计划于 2021 年投入生产，可以实现小间距 HBM 和 SRAM 存储立方体以及类似 3D 的芯片架构。继承了 SoIC 的 DRAM 存储器立方体可以提供更高的存储器密度、带宽和功率效率。”

台积电正在开发芯片对晶圆（Chip-to-Wafer）的混合键合技术。晶圆键合已经在微机电系统（MEMS）和其他应用中使用多年，且类型众多。微电子和微机电系统的制造和封装依赖于两个基板或晶片的键合，在微机电系统的制造过程中，器件晶圆将被粘合到另一个晶圆上，以保护敏感的 MEMS 结构。直接键合技术（例如熔融键合和阳极键合）或间接键合技术（例如金属共晶、热压键合和胶粘剂键合）都是常用的方法。使用胶粘剂作为两个基板之间的中间层，处理会更加灵活。

(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）