7nm Zen2架构的锐龙4000系列处理器得到了几乎所有笔记本厂商的认可，连以往极少被选中的高端市场上也有了锐龙芯片的参与。

锐龙4000系列有45W TDP的H高性能及15W TDP的U低功耗系列，不论哪款产品，其实他们的性能及续航都很强大，不仅比友商14nm处理器Comet Lake-U、10nm Ice Lake-U处理器有优势，哪怕是面对马上要推出的10nm+工艺Tiger Lake-U系列，AMD依然有胜算，最差情况也会保持性价比优势。

锐龙4000能有这样的成绩，感谢下AMD CEO苏姿丰，报道称是她改变了AMD笔记本芯片的策略，专注于提升CPU的性能以及能效，两手都要抓，没有顾此失彼，才打造出了几乎完美的锐龙4000系列CPU。

2020年的笔记本市场上，AMD的翻身会让友商相当难受，性能、能效、价格上都极具竞争力，预计全年的笔记本份额能从去年底的16%提升到20%，要从对方嘴里抢走不少肉。

氮化镓（GaN）这个概念逐渐步入了大众的视线之中，一种新型半导体技术，GaN已发展成为可与硅技术“匹敌”的半导体技术。随着GaN成本的不断下降，以及小米在今年发布最新10系列手机时同时雷军特别强调发布了GaN充电头后，大众对于这个第三代半导体材料的印象越来越深刻。

GaN和SiC被人称之为“第三代半导体材料”，究其历史，第一代以Si、Ge为代表、第二代以GaAs、InP III-V族化合物为代表、第三代以SiC、GaN为代表。第三代半导体材料用其优异的材料物理特性，为电子器件性能功耗和尺寸提供了更多的发挥空间。

GaN一般多用于650V以下的中低压功率器件及射频和光电领域，而碳化硅（SiC）则主要适用于高压功率器件领域。但无论从哪方面性能来说，都不难发现身为第三代半导体材料的GaN全面碾压硅和第二代半导体材料。GaAS、GaN和SiC半导体材料特性对比具体来讲，GaN器件的高频特性是传统硅的5倍以上，电容电感可以大幅度减少，让整体的终端应用尺寸再次大幅缩小；开关速度上也非常快，这使得脉冲变窄，脉冲电流大；单位面积阻抗上也非常低，这可以让整个器件的发热降低到另一个水准，同时这就意味着整体的功耗降低，功耗既代表着续航、发电成本也代表着更低的发热量。

GaN不仅步入寻常百姓家，还为电力工程行业带来变革，GaN实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。

GaN 的固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。硅基氮化镓的方案，氮化镓器件能够取代很多硅器件成为市场主流方向之一。在新时代的背景下，氮化镓作为半导体世界中的后浪，也会引领一些企业乘风破浪。

GaN因为和SiC的特性不同，常用在650V以下中小系统，除了常见的手机充电、5G射频领域以外，还可以大规模替代光伏逆变器、智能电网、电动汽车等领域的硅基材料的IGBT。

在电源方面是领头羊的企业，肯定不会错过这一个领域，TI就已经研发相关技术，要知道业界第一颗600V的氮化镓芯片都已经是2012年了，更何况GaN技术被大面积推广应用才始于2015年，可以说TI的布局是超前于市场的。TI增加了在工业、电信、服务器和个人电子产品中的应用。对电力行业熟悉的小伙伴一定都听说过西门子，需要注意的就是，TI在同年与知名企业西门子共同展示了10千瓦的云电网与GaN的连接。

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