LDO要高效率地工作，则需要低ESR的最小尺寸的电容器。对该应用来说，符合要求的低ESR电容技术种类比较多。钽电容的ESR一般情况下都是生产厂家在100kHz条件下定义的。本应用需要10kHz下的ESR，以便实现合适负载线稳定性。

选择合适的电容可以通过10kHz时的阻抗-频率关系来确定。有几种固态钽电容适用于该应用。MLCC、钽电容、铝电解电容的对应ESR。虽然与采用锰负极的标准固态钽电容相比，钽聚合物电容ESR更低，但由于近期采用二氧化锰(MnO2) 负极对钽电容结构的改进，部分标准固态钽电容产品的ESR 低于 50mΩ，完全可以用于LDO应用。

某些医疗设备需要高可靠性，特别是对关键任务型应用而言，电容生产厂家提供稳健且保守的设计来满足性能需求。通过精心的钽芯和钽粉设计，医用钽电容的性能会高出标准的商用钽电容以及采用传统技术生产的高可靠产品。

AS13985H12-T

制造商:ams

产品描述:IC REG LDO 1.2V 0.15A SOT23-5

标准包装：1

类别：集成电路 (IC)

家庭：PMIC - 稳压器 - 线性

系列：-

包装：剪切带 (CT)

稳压器数：1

稳压器拓扑：正，固定式

电压 - 输入：2.5 V ~ 5.5 V

电压 - 输出：1.2V

电压 - 跌落（典型值）：-

电流 - 输出：150mA

电流 - 限制（最小值）：300mA

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74A，SOT-753

供应商器件封装：SOT-23-5

其它名称：AS13985H-12-TCTAS13985H-12-TCT-NDAS13985H12-TCT

ROHS： 无铅

钽电容的DCL会因为正极表面的机械损坏或者氧化层表面的破裂而上升。正极的外表面属于易损部分，受到热、机械和电气作用的共同影响。表面DCL会受湿度的影响，并导致长时间工作的不稳定。

改进钽芯的生产工艺，更好地控制氧化物层的厚度，可以帮助消除表面DCL问题。在钽芯的外表面生成较厚的电介质薄膜，防止其受到机械损坏，从而大幅改善DCL性能，降低DCL。除了改进钽电容的正极结构，与聚合物负极结构相比，钽电容的二氧化锰负极结构具有更为优异的 DCL 性能，因该材料有更好的导电性。

钽电容的电介质层是一层五氧化二钽薄膜，覆盖在每颗钽芯表面上。其采用阳极化工艺，由厚5nm~10nm的N型氧化钽层和五氧化二钽纯半导体层复合而成。层厚与阳极化电压成比例，同时决定了元件的额定电压。对用于6V电池应用的固钽电容而言，最终的钽电介质层厚度为0.04微米或者40纳米。

采用这种新技术制造而具有出色DCL性能的新型MAP 0603封装。结合对钽芯的改进，最新 MAP 系列钽封装能够改善装配、封装和端接工艺，避免机械损坏，提升电容的体积效率。