900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

开发和制造高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率半导体的先驱Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN) 宣布，该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。主要目标市场是广泛的工业和可再生能源，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源、照明和储能等应用。此外，凭借900 V产品组合，Transphorm正逐步扩大电压范围，以涵盖三相应用。

TP90H050WS是该公司继TP90H180PS之后的第二款900 V器件。双芯片式常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20 V栅极鲁棒性，从而提高其在电力系统中的可靠性和可设计性。Transphorm的高速GaN与耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在具有无桥图腾柱功率因数校正(PFC)的典型半桥配置中可获得超过99%的效率，同时产生高达10 kW的功率。

产品种类:运算放大器 - 运放RoHS:  安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14电源电压-最大:5.5 V每个通道的输出电流:23 mA通道数量:4 ChannelGBP-增益带宽产品:1 MHzSR - 转换速率 :0.6 V/usCMRR - 共模抑制比:60 dBIb - 输入偏流:19 pAVos - 输入偏置电压 :4.5 mV电源电压-最小:1.8 V工作电源电流:100 uA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C关闭:No Shutdown系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel放大器类型:Operational Amplifiers 高度:1.25 mm (Min) 长度:8.65 mm 产品:Operational Amplifiers 电源类型:Single 技术:CMOS 宽度:3.9 mm 商标:Microchip Technology en - 输入电压噪声密度:28 nV/sqrt Hz In—输入噪声电流密度:0.0006 pA/sqrt Hz 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 电源抑制比:86 dB

Transphorm借助其直交逆变器评估板来继续简化开发工作。TDINV3500P100-KIT采用四件TP90H180PS 170毫欧FET设计，使用全桥拓扑来支持以100 kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。

该评估板及两款已投产的900 V晶体管可通过Digi-Key和Mouser获取。

Microchip全新CXP-12系列为我们的最新产品提供了一个紧凑和低组件数的单芯片均衡器解决方案，可以轻松满足CoaXPress回波损耗规范。这些器件还有一个出色的功能，可以进行实时电缆裕度测试，在正常运行中出现任何位错之前检测到老化或磨损的电缆。

Microchip的CXP器件使制造商能够从摄像机和帧采集器的两个端口获得与以前四个端口相同的吞吐量。这些器件可用于在摄像机端检索实时低频时钟，从而提供更精确的信号时序。制造商还可以将其作为电缆中继器使用，进一步扩大摄像机之间的连接距离。它们的低功耗使其成为向市场推出尺寸更小、性能更好的图像采集解决方案的理想选择，既能增加客户价值，同时设计更简单、成本更低。