开尔文连接测试技术,当被测电阻阻值小于几欧，测试引线的电阻和探针与测试点的接触电阻与被测电阻相比已不能忽略不计时，若仍采用两线测试方法必将导致测试误差增大。此时可采用开尔文连接方式（或称四线测试方式）来进行测试。

开尔文连接有两个要求：对于每个测试点都有一条激励线F和一条检测线S，二者严格分开，各自构成独立回路；同时要求S线必须接到一个有极高输入阻抗的测试回路上，使流过检测线S的电流极小，近似为零。

r表示引线电阻和探针与测试点的接触电阻之和。由于流过测试回路的电流为零，在 r3，r4上的压降也为零，而激励电流 I在r1，r2上的压降不影响I在被测电阻上的压降，所以电压表可以准确测出Rt两端的电压值，从而准确测量出R t的阻值。测试结果和r无关，有效地减小了测量误差。

按照作用和电位的高低，这四条线分别被称为高电位施加线（HF）、低电位施加线（LF）、高电位检测线（HS）和低电位检测线（LS）。

制造商:AMS

产品描述:

电压 - 输出（最小值/固定）：1.25V（5V）

电流 - 输出：600mA

频率 - 开关：200kHz

同步整流器：无

工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘

输出配置：正

输出类型：可调（固定）

输出数：1

电压 - 输入（最小值）：4.5V

拓扑：降压

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1125pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：20V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：44 毫欧 @ 12A，10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

采用一种变形的开尔文连接方式来进行测试，不再使用隔离方法。它仍采用四根线，但根据需要将其中一对或两对F，S线分开接在不同的点上来进行测试。这种方式称为分离开尔文连接方式。三个电阻要进行四次测试才能计算出它们的阻值，四次测试的接法分别1，2，3点为连接点。接法可直接测出R1的值；可测出 R2与R3的并联值R p；分别测出阻值R2 ′和R3′。分析可知R2′/R 3′=R2/R3 ,1/Rp=1/R2+1/ R3；可以解出R2 =Rp×（1+R2′/ R3′），R3=R 2×R3′/R2 ′。

在测试中还常常遇到被测电阻的两端都没有测试点，隐藏在电阻网络中的情况，如R-2R网络。这时也需要使用分离开尔文连接来进行测试。