导通电阻与栅极电荷乘积
发布时间:2020/6/27 6:59:36 访问次数:2880
TLV1571IPW许多MCU产品的功能安全工具成本非常高，Microchip推出的功能安全产品的价格仅为某些竞争性解决方案的三分之一，而且提供卓越的全球技术支持，助力客户加快产品上市并进一步简化开发流程。
将融入功能安全设计的器件与经TüV SüD认证的MPLAB XC编译器和MPLAB代码覆盖工具相组合，可简化汽车、消费电子、航空航天、医疗和工业应用的功能安全认证。
除了提供开发工具以更便捷、更经济地符合功能安全标准外，Microchip还提供许多功能安全就绪的PIC、AVR和SAM MCU及dsPIC DSC。对于所有功能安全就绪的器件，Microchip提供达到ISO 26262至ASIL-B安全级别的失效模式影响与诊断分析(FMEDA)报告和安全手册，部分产品更是达到ASIL-D安全级别。
汽车应用领域的长期供应商，我们了解并积极回应客户的需求，以帮助客户缩短开发时间和优化安全产品的成本。 我们将继续扩大针对安全应用的单片机产品线，实现功能与价值的完美匹配。
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
三相栅极驱动器和STM32F0 Arm® Cortex®-M0微控制器，可以简化高压无刷直流电机(BLDC)驱动器设计过程，提供主流的控制算法和应用示例，包括单电阻和三电阻电流检测矢量控制(FOC)，以及有传感器的单电阻电流检测和六步无传感器的传统电机控制方法。
四款新产品相互引脚兼容，硬件和软件固件可以重复使用，控制110V AC和250V AC电机。这些IC具有待机模式，当电机停止运转进入空闲状态时，可最大程度地降低功耗。
这些栅极驱动器全都集成自举二极管和保护电路，包括防止共通和死区时间。此外，驱动电路高低边都有UVLO欠压保护功能，防止功率开关低效工作或发生危险状况，还有一个获得专利的快速动作智能关断(smartSD)功能，用于防护过载和过流。
(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）
深圳市创芯联盈电子有限公司http://cxly.51dzw.com/
TLV1571IPW许多MCU产品的功能安全工具成本非常高，Microchip推出的功能安全产品的价格仅为某些竞争性解决方案的三分之一，而且提供卓越的全球技术支持，助力客户加快产品上市并进一步简化开发流程。
将融入功能安全设计的器件与经TüV SüD认证的MPLAB XC编译器和MPLAB代码覆盖工具相组合，可简化汽车、消费电子、航空航天、医疗和工业应用的功能安全认证。
除了提供开发工具以更便捷、更经济地符合功能安全标准外，Microchip还提供许多功能安全就绪的PIC、AVR和SAM MCU及dsPIC DSC。对于所有功能安全就绪的器件，Microchip提供达到ISO 26262至ASIL-B安全级别的失效模式影响与诊断分析(FMEDA)报告和安全手册，部分产品更是达到ASIL-D安全级别。
汽车应用领域的长期供应商，我们了解并积极回应客户的需求，以帮助客户缩短开发时间和优化安全产品的成本。 我们将继续扩大针对安全应用的单片机产品线，实现功能与价值的完美匹配。
新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。
于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %，比市场上排名第二的产品低35 %，而FOM比紧随其后的竞争器件低15 %。这些业内最佳值降低了导通和开关损耗，从而节省能源并延长便携式电子设备的电池使用寿命，同时最大限度降低整个电源路径的压降，以防误触发。器件紧凑的外形便于安装在PCB面积有限的设计中。
行业标准面积尺寸的SiSS05DN可直接替代升级5 V至20 V输入电源应用中的现有器件。该MOSFET适用于适配器和负载开关、反向极性保护、电池供电设备电机驱动控制、电池充电器、消费类电子、计算机、电信设备等。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
三相栅极驱动器和STM32F0 Arm® Cortex®-M0微控制器，可以简化高压无刷直流电机(BLDC)驱动器设计过程，提供主流的控制算法和应用示例，包括单电阻和三电阻电流检测矢量控制(FOC)，以及有传感器的单电阻电流检测和六步无传感器的传统电机控制方法。
四款新产品相互引脚兼容，硬件和软件固件可以重复使用，控制110V AC和250V AC电机。这些IC具有待机模式，当电机停止运转进入空闲状态时，可最大程度地降低功耗。
这些栅极驱动器全都集成自举二极管和保护电路，包括防止共通和死区时间。此外，驱动电路高低边都有UVLO欠压保护功能，防止功率开关低效工作或发生危险状况，还有一个获得专利的快速动作智能关断(smartSD)功能，用于防护过载和过流。
(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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