MMBC1009F3稳压二极管通常是工作在反向击穿状态。

稳压二极管的正向特性和普通二极管差不多。

其反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。

电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

稳压二极管是电子电路中常用的一种二极管，是一种用于稳定电压，且工作在反向击穿状态下的二极管。

反向击穿状态是指给二极管加反向电压，加到一定值后被击穿，此时流过二极管的电流虽在变化，但电压的变化都很小，即电压维持在一个恒定值范围内，稳压管就是利用二极管此种特性进行稳压的。如果通过二极管的反向电流是在一定范围内变化时则二极管两端的反向电压就能保持基本不变，但是反向电流超过允许值，稳压管就会烧毁。为此在使用时一定要在允许的工作电流内使用。

稳压二极管的参数除与前述二极管的相同之外，还有自己的特有参数，"稳定电压"，它是指稳压二极管在起稳压作用范围内，其两端的反向电压值。稳压管型号不同，稳压值也不同。

32位ARMCortex-M0+内核

处理器版本: r0p1

最高工作频率: 32 MHz

嵌套向量中断控制器(NVIC):支持1通道NMI(不可屏蔽中断)和32通道的外设中断，能够设定4个中断优先级

24位系统定时器 (Sys Tick) : 该系统定时器用于管理操作系统任务

支持位带(Bit Band)操作

片上存储器

闪存

最大128KB

保护代码的加密功能

SRAM

片上SRAM

最大: 6KB

电源

支持宽幅范围电压:

DVCC = 1.8V ~ 3.6V

DVCC = 2.2V ~ 3.6V(当使用LCD时)

电池供电电压: VBAT =1.8 V ~ 3.6 V

可调整帧显示频率

多功能通讯串口 (最多同时6通道)

可从下列模式中选择每个通道的工作模式。

UART

全双工双缓冲器

可选择奇偶校验的有/无

内建专用波特率发生器

可选择外部时钟作为串口时钟

多种错误检测功能(奇偶校验错误、帧错误、溢出错误)

支持硬件流控制: 根据CTS/RTS自动控制数据收/发

支持波特率补偿

SPI

全双工双缓冲器

内建专用波特率发生器

溢出错误检测

片选功能

数据长度: 5到16 位

(素材来源：21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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