产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:3.7 A

Rds On-漏源导通电阻:79 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:39 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:7.9 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:13 ns

工厂包装数量:4000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:SP001572102

单位重量:506.600 mg

制造商:Renesas Electronics

产品种类:运算放大器 - 运放

RoHS: 详细信息

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-14

通道数量:4 Channel

电源电压-最大:5.5 V

GBP-增益带宽产品:2 MHz

SR - 转换速率 :1 V/us

Vos - 输入偏置电压 :4 mV

电源电压-最小:1.8 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

Ib - 输入偏流:0.00002 uA

工作电源电流:520 uA

关闭:No Shutdown

en - 输入电压噪声密度:55 nV/sqrt Hz

系列:ISL28413

封装:Tube

放大器类型:General Purpose Amplifier

高度:0.9 mm

长度:5 mm

产品:Operational Amplifiers

电源类型:Single

技术:CMOS

类型:General Purpose Amplifier

宽度:4.4 mm

商标:Renesas / Intersil

In—输入噪声电流密度:0.005 pA/sqrt Hz

湿度敏感性:Yes

工作电源电压:3 V, 5 V

产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers

PSRR - 电源抑制比:70 dB

工厂包装数量:94

子类别:Amplifier ICs

单位重量:54 mg

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:67 A

Rds On-漏源导通电阻:12.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:8 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:IPD12CN10NGBUMA1 SP000096476 IPD12CN10NGBUMA1

单位重量:4 g