电容式触摸通道特定的用途
发布时间:2020/3/19 22:20:43 访问次数:2277
LB11675V-TLM-E基于接近感测和LED动画参考设计的电容式触控用户界面中,用户可以使用三种工作模式:
接近感测模式:当感测到手接近时,电路板将从睡眠模式唤醒,并切换到LED指示的活跃模式。
自主模式:可以通过按键选择预先存储的自主模式,如呼吸(单色或混合色淡入,淡出),追逐(单色或混合色),两种颜色追逐(一种颜色追逐基于另一种颜色)或任何其他颜色设计师编程的模式。
控制模式:控制模式演示了用户如何用手指控制电容式拨号,同时应用程序通过LED环提供反馈。Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 188 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 70 A
基于CapTIvate™触控技术和先进LED驱动技术的单个MSP430FR2522微控制器(MCU), 如下图所示。六个电容式触摸I/O通道各有特定的用途。在这个特定的设计中,三个用于转盘控制,两个用于按钮,一个用于接近感应。即使在有飞溅油脂或水滴的情况下也能实现精确控制。
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 49 S
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
深圳市金嘉锐电子有限公司http://xczykj.51dzw.com/
(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
LB11675V-TLM-E基于接近感测和LED动画参考设计的电容式触控用户界面中,用户可以使用三种工作模式:
接近感测模式:当感测到手接近时,电路板将从睡眠模式唤醒,并切换到LED指示的活跃模式。
自主模式:可以通过按键选择预先存储的自主模式,如呼吸(单色或混合色淡入,淡出),追逐(单色或混合色),两种颜色追逐(一种颜色追逐基于另一种颜色)或任何其他颜色设计师编程的模式。
控制模式:控制模式演示了用户如何用手指控制电容式拨号,同时应用程序通过LED环提供反馈。Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 188 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 70 A
基于CapTIvate™触控技术和先进LED驱动技术的单个MSP430FR2522微控制器(MCU), 如下图所示。六个电容式触摸I/O通道各有特定的用途。在这个特定的设计中,三个用于转盘控制,两个用于按钮,一个用于接近感应。即使在有飞溅油脂或水滴的情况下也能实现精确控制。
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 49 S
下降时间: 28 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
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