TAJA336M004R 三相门驱动器低介质吸收的电容
发布时间:2020/3/15 17:14:55 访问次数:723
TAJA336M004R开发套件包括MSP-TS430PZ100E 100针目标开发板和EVM430-FR6047超声波水流量计EVM。TI还提供免费软件，包括超声波传感设计中心、超声波传感软件库和msp430软件™ 软件。
TI的MSP430超低功耗（ULP）FRAM微控制器平台结合了独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构，让系统设计师在降低能耗的同时提高性能。FRAM技术将RAM的低能耗、快速写入、灵活性和持久性与flash的非易失性结合起来。MSP430FR604x和MSP430FR603x mcu由广泛的硬件和软件生态系统支持，提供参考设计和代码示例，以快速启动设计。
积分电容的品质。尽管积分电容不需要完美的线性，但却需要时间恒定(time-invariant)。介电吸收(Dielectric absorption)会导致严重问题。介质吸收取一个数值较大的钽电容，充电到10V左右，用一个100Ω的电阻即刻跨接在它两端，迅速放电。移去电阻，用高阻抗的电压表观察电容两端的电压，可以看到电容又充电，几秒后达到1V左右。介质吸收现象可能与介质表面的残留极化有关。积分型ADC的电容应选择高质量、低介质吸收的电容.
250V STSPIN32F0251和STSPIN32F0252，600V STSPIN32F0601和STSPIN32F0602结合了三相门驱动器和STM32F0 Arm®Cortex®M0微控制器，以简化高压无刷直流（BLDC）电机驱动器。
STSPIN32F025x封装系统是一个非常集成的解决方案，用于驱动三相应用，帮助设计师减少PCB面积和总体材料清单。
它嵌入了一个STM32F031x6x7，具有一个ARM®32位Cortex®M0 CPU和一个250V三桥半栅极驱动器，能够驱动N通道功率mosfet或igbt。集成了一个具有高级智能SD功能的比较器，确保快速有效地防止过载和过电流。
高压自举二极管也被集成，以及反交叉传导，上下两个驱动段上都有死区和UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。低侧断面和高侧断面之间的匹配延迟保证无周期失真。
集成的MCU允许执行FOC、6步无传感器和其他先进的驱动算法，包括速度控制回路。
深圳市创芯联盈电子有限公司http://cxly.51dzw.com/
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TAJA336M004R开发套件包括MSP-TS430PZ100E 100针目标开发板和EVM430-FR6047超声波水流量计EVM。TI还提供免费软件，包括超声波传感设计中心、超声波传感软件库和msp430软件™ 软件。
TI的MSP430超低功耗（ULP）FRAM微控制器平台结合了独特的嵌入式FRAM和整体超低功耗系统架构，让系统设计师在降低能耗的同时提高性能。FRAM技术将RAM的低能耗、快速写入、灵活性和持久性与flash的非易失性结合起来。MSP430FR604x和MSP430FR603x mcu由广泛的硬件和软件生态系统支持，提供参考设计和代码示例，以快速启动设计。
积分电容的品质。尽管积分电容不需要完美的线性，但却需要时间恒定(time-invariant)。介电吸收(Dielectric absorption)会导致严重问题。介质吸收取一个数值较大的钽电容，充电到10V左右，用一个100Ω的电阻即刻跨接在它两端，迅速放电。移去电阻，用高阻抗的电压表观察电容两端的电压，可以看到电容又充电，几秒后达到1V左右。介质吸收现象可能与介质表面的残留极化有关。积分型ADC的电容应选择高质量、低介质吸收的电容.
250V STSPIN32F0251和STSPIN32F0252，600V STSPIN32F0601和STSPIN32F0602结合了三相门驱动器和STM32F0 Arm®Cortex®M0微控制器，以简化高压无刷直流（BLDC）电机驱动器。
STSPIN32F025x封装系统是一个非常集成的解决方案，用于驱动三相应用，帮助设计师减少PCB面积和总体材料清单。
它嵌入了一个STM32F031x6x7，具有一个ARM®32位Cortex®M0 CPU和一个250V三桥半栅极驱动器，能够驱动N通道功率mosfet或igbt。集成了一个具有高级智能SD功能的比较器，确保快速有效地防止过载和过电流。
高压自举二极管也被集成，以及反交叉传导，上下两个驱动段上都有死区和UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。低侧断面和高侧断面之间的匹配延迟保证无周期失真。
集成的MCU允许执行FOC、6步无传感器和其他先进的驱动算法，包括速度控制回路。
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