TPS76330DBV随机存取存储器,一个CMOs存储单元如图题7.1.5所示,试分析其工作原理。

设同步SRAM工作在丛发模式下,若数据写人的首地址为0094H,问接下来的3个数据将被写人的存储单元的地址分别是多少?

一个有4096位的DRAM,如果存储矩阵为64×64结构形式,且每个存储单元刷新时间为100 ns,则存储单元全部刷新一遍最快需要多长时间?如果刷新每行的最长间隔时间为15.6 us,则该DRAM的刷新周期最长为多少?刷新操作所用时间占刷新周期的百分比是多少?           

一个有1M×1位的DRAM,采用地址分时送入的方法,芯片应具有几条地址线?

试用一个具有片选使能CE、输出使能读写控制配弘容量为8K×8位的SRAM芯片,设计一个16K×16位的存储器系统j试画出其逻辑图。

存储器、复杂可编程器件和现场可编程闸阵列元。理论上,该逻辑块可以实现多少个逻辑函数?每个逻辑函数最多可有多少个变量?如果每个宏单元包含5个乘积项,通过乘积项扩展,逻辑函数中所能包含的乘积项数目最多是多少?

设CPLD中某宏单元编程后电路如图题7.1.5所示,图中画出了sl~S:和M、M3全局置位,全局时钟局复位数据线.

编程后的连接。数据分配器S1~S:未被选中的输出为0。已知各乘积项如图题7.2.1中所示。

此时宏单元的输出y是组合型输出还是寄存器型输出?

写出X和y的逻辑函数表达式。

现场可编程门阵列,电路如图题7.3.2所示,LUT的内容如表题7.3.2所示。试写出y的逻辑函数.

根据试画出其实现2位二进制数加法运算的简化逻辑图。

用EDA技术和可编程器件的设计例题

试用Verilog语言设计一个1位十进制数(用8421BCD码表示)加法器。

在例的基础上,将计时输人脉冲频率改为1 kHz,要求增加以下功能:在数字电路中,常常需要各种脉冲波形,例如时序电路中的时钟脉冲、控制过程中的定时信号等。这些脉冲波形的获取,通常有两种方法:一种是将已有的非脉冲波形通过波形变换电路获得;另一种则是采用脉冲信号产生电路直接得到。

本章主要介绍由单稳态触发器、施密特触发器组成的脉冲波形变换电路和多谐振荡器及定时器组成的波形产生电路。下面将在介绍上述电路原理的基础上,重点讨论它们的工作特点及其应用,脉冲波形的变换与产生.

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