Z84C4208PEC将式(5.2.18)代入式(5.2.19),得

                             i2=kp2(vt3-iref/kp3-vt2             (5.2.20)

如果T3和T2的特性是相同的,则有yT3=vt2,KP3=KP2,式(5.2.20)就变成

                              i2=fREF                                  (5.2.21)

如果T3和T2除了宽长比不同,其他都匹配,则上式改写为

                              i2=(w/l)2/(w/l)3iref                  (⒌2.22)

P沟道增强型负载管T2的y~r特性

负载管T2的v-i特性如图5.2.12b所示,其栅源电压ugs2=oGs3,i3=iREF=

CMOS共源放大电路,(a)电路(b)PMOS有源负载的y~r特性(c)放大管输出特性曲线和负载线 (d)电压传输特性常量,所以v Gs2=ycs=常量。电流源就工作在y~r特性曲线的水平段(即饱和区)。设几=rREF,根据基准电流JREF可确定工作点Q,求出电流源在Q点附近的动态输出电阻

ro=rds2=usd2/i2 vgs2

输出特性曲线、负载线及电压传输特性,T2为负载管,与图5.2.12b相似的负载曲线和放大管的输出特性曲线如图5.2.12c所示。由图5.2.12a可见,osD2+uDs1=vDD,i1=i2,当oDs1≈vDD时,vsD2≈0。因此,在图c中将rl管输出特性上的J1=0、uDs1=yDD看成负载管v-J特性的原点。图d是图5.2.12a所示CMOs放大电路的电压传输特性。图中M点是T1的预夹断点,Ⅳ点是T2进入饱和区的临界点(预夹断点)。为保证放大器正常工作,即T1、T2都工作于饱和区,o点应处于m、n两点中间。当放大器工作在o点,相应的%s1和吒D2值如图5,2.12c所示,且yDs1+ysD2=yDD。

利用小信号等效电路求电压增益.由图5.2.12a可知,1,cs2=ycs=常量,所以从漏极看入的T2相当一个等效电阻,即Ro=rds2。因此,图5,2,12a所示放大电路的小信号等效电路如图5,2.13所示。考虑到T1的衬底和源极连在一起接地,而T2的衬底和源极连在一起接yDD,因此该电路不存在体效应。由图5.2.13可求出小信号电压增益为

au=uo/ui=-gm1(rdsl‖rds2)     (5.2,23)

图5.2.13 图5.2,18a的小信号等效电路

式(5.2,23)表明,电压增益正比于放大管T1和负载管T2输出电阻rds1和rds2的并联值。

CMOs放大电路是集成MOs放大电路中用得较多的一种,与带增强型负载管的NMOS E/E放大电路(见图题5.2.8)和带耗尽型负载管的NMOS E/D放大电路(见图题5.2.6)比较,其主要特点是,电压增益较高[典型值单级可达(30~60)dB],功耗低,但制造工艺复杂。

与BJT放大电路比较,MOSFET偏置电路有什么特点?

与BJT的共射、共集和共基电路相对应,MOSFET有共源、共漏和共栅电路,试比较它们的异同点。

JFET是利用半导体内的电场效应进行工作的,也称为体内场效应器件。

JFET的结构和工作原理,栅极金属铝漏极氧化层,图5.3.1结构示意图,代表符号,N沟道JFET,实际的N沟道JFET结构剖面图结型场效应管rJFET.

结构,JFET的结构示意图如图5.3.1a和图5.3,2a所示。在图5.3.1a中,是在源极N型导电沟道P+型衬底.