ICS8535AI31L 反向击穿时的电压值

发布时间:2019/10/31 20:17:51 访问次数:1050

ICS8535AI31L反向特性,P型半导体中的少数载流子――电子和N型半导体中的少数载流子――空穴,在反向电压作用下很容易通过PN结,形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少,所以反向电流是很小的,如图3.3.3的第②段所示,一般硅管的反向电流比锗管小得多。

温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向电流将随之明显增加。

反向击穿特性,当增加反向电压时,因在一定温度条件下,少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小(‰R)时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿,对应于图3.3.3的第③段,实际上就是二极

管中PN结反向击穿。

二极管的主要参数,最大整流电流rF是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2AP1最大整流电流为16mA。

反向击穿电压吒R 指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2AP1最高反向工作电压规定为20Ⅴ,而反向击穿电压实际上大于40Ⅴ。

反向电流IR 指管子未击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会明显增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。

极间电容Cd,在讨论PN结时已知,PN结存在扩散电容CD和势垒电容CB,极间电容是反映二极管中PN结电容效应的参数,Cd=cD+CB。在高频或开关状态运用

时,必须考虑极间电容的影响。

反向恢复时间TRR,由于二极管中PN结电容效应的存在,原工作状态不能在瞬间完全随之变化。特别是外加电压从正向偏置变成反向偏置时,二极管中电流由正向变成反向,但其翻转后瞬间有较大的反向电流,经过一定时间后反向电流才会变得很小。二极管由正向导通到反向截止时电流的变化如图3.3.4所示。其中fF为正向电流,JRM为最大反向恢复电流,TRR为反向恢复时间。

当二极管外加电压极性翻转时,其存在反向恢复时间的主要原因是扩二极管由正向导通到反向散电容CD的影响。由于二极管加正向电截止时电流的变化

压时,PN结两侧存在从对方区域扩散过来的载流子的积累,如图3.2.6中在P型区积累了自由电子,N型区积累了空穴。当二极管外加电压由正向变为反向时,外电场与PN结内电场方向相同,有利于载流子的漂移运动。此时积累在PN结两侧的载流子数量较多,因此反向电流较大。随着时间推移,积累的载流子逐渐消散,反向电流逐渐减小到正常值。由此看出,扩散电容越小,反向J咴复时间越短,工作频率越高。二极管由反向截止到正向导通则不存在积累载流子的消散过程,所以二极管从反向到正向的转换时间较短。

二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子的参数。在使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则管子容易损坏。