T90RIA100 内部电路由分压器

发布时间:2019/10/24 8:56:56 访问次数:687

T90RIA100555定时器是一种集模拟、数字于一体的中规模集成电路,其应用极为广泛。它不仅用于信号的产生和变换,还常用于控制与检测电路中。定时器有双极型和CMOs两种类型的产品,它们的结构及工作原理基本相同,没有本质的区别。一般说来,双极型定时器的驱动能力较强,电源电压范围为5~16V,最大负载电流可达200 mA。而CMOs定时器的电源电压范围为3~18V,最大负载电流在4 mA以下,它具有功耗低、输入阻抗高等优点。

555定时器的内部电路由分压器、电压比较器,C1和 C2、简单 sR锁存器、读、写操作 (b)页模式读操作(0E=0) (c)RAs只刷新操作(CAs=7E=1)Cms先于R/4S有效的刷新操作

执行该操作时,CAs首先变为低电平,然后RAS变为低电平。此时,DRAM内部的刷新控制及定时电路,控制刷新计数器连续生成刷新地址进行刷新操作。

一般的DRAM每行刷新的间隔时间为15.6 us(目前也有7.8 us的),典型的刷新操作时间小于100 ns。刷新时间只占刷新周期的0.64%,所以DRAM用于读写操作的时间实际上超过99%。

与SRAM的发展类似,DRAM也有同步DRAM(SDRAM)、双倍数据传输率DRAM(DDR SDRAM)和四倍数据传输率DRAM(QDR SDRAM)。

由于DRAM的存储单元结构简单,其集成度远高于SRAM,最大容量已达1 Gbit,时钟最高工作频率达250 MHz。所以同等容量情况下,DRAM更廉价。

目前,DDR SDRAM已成为个人电脑的主流内存。其改进型DDR ⅡSDRAM将很可能成为下一个主流内存。表7.2,3所示为几种DRAM产品。

表7.2.3 几种DRAM产品

MT48LC8M8A2TG

K4H280838F

MT47H64M16

HY5PS1 G831(L)

存储容量的扩展,目前,尽管各种容量的存储器产品已经很丰富,且最大容量已达1 Gbit以上,用户能够比较方便地选择所需要的芯片。但是,只用单个芯片不能满足存储容量要求的情况仍然存在。个人电脑中的内存条就是一个典型的例子,它由焊一块印制电路板上的多个芯片组成。此时,便涉及存储容量的扩展问题。扩展存储容量的方法可以通过增加字长(位数)或字数来实现。

字长(位数)的扩展,通常RAM芯片的字长为1位、4位、8位、16位和32位等。当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时,需要对RAM实行位扩展。位扩展可以利用芯片的并联方式实现,即将RAM的地址线、读/写控制

线和片选信号对应地并联在一起,而各个芯片的数据输人/输出端作为字的各个位线。如图7.2.10所示,用4个4K×4位RAM芯片可以扩展成4K×16位的存储系统。

字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选使能输人端来实现。例如,利用2线一4线译码器74139将4个8K×8位的RAM芯片扩展为32K×8位的存储器系统。扩展方式如图7,2,11所示,图中,存储器扩展所要增加的地址线我4、A“与译码器的74139的输人相连,译码器的输出‰~y3分别接至4片RAM的片选信号控制端CE。这样,当输入一个地址码(代4~14)时,只有一片RAM被选中,从而实现了字的扩展。