63496-2 存储器的数据非易失性
发布时间:2019/10/20 17:23:36 访问次数:1041
63496-2为了保证存储器准确无误地工作,加到存储器的地址和控制信号必须遵守若干时限条件,AT27C010的读时序如图7.1.5所示。
读出过程操作如下:
欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端。
加入有效的片选信号CE。
使输出使能信号OE有效,经过一定延时后,有效数据出现在数据线上。
让片选信号CE或输出使能信号0E无效,经过一定延时后,数据线呈高另外,还可以用ROM实现两个4位二进制数的乘法运算。两个4位二进制数分别作为地址的高4位和低4位,它们的积需要8位。这样选用容量为2×8位的ROM便可实现该乘法运算,读者可以试着自行确定ROM中的内容。随着集成电路技术的发展,ROM的价格已变得相对低廉,加之用它实现逻辑函数非常简单易行,所以在某些情况下,用该法实现逻辑函数不失为一种有效的方法。实际上,7.4节的现场可编程门阵列就是借鉴这种方法实现逻辑函数的。
什么是存储器的数据非易失性?
在存储器的结构中,什么是“字”?什么是字长”?如何标注存储器的容量?
一个存储容量为256×8位的ROM,其地址应为多少位?
哪几种ROM具有多次擦除重写功能?哪种ROM的擦除过程就是数据写入过程?
ROM的擦除过程就是数据写人,以随时从其中任一指定地址SRAM和动态DRAM。下面首先介绍SRAM。
SRAM的基本结构及输入输出
SRAM的基本结构与ROM类似,由存储阵列、地址译码器和输人/输出控制电路三部分组成,其结构框图如图7,2,1所示。其中处。~丸~1是Ⅱ根地址线,J/90~〃@.~1是m根双向数据线,其容量为2″×m位。0E为输出使能信号,∥E是写使能信号,CE为片选信号。只有在CE=0时,RAM才能进行正常读写操作,否则,三态缓冲器均为高阻,SRAM不工作。为降低功耗,一般过程?
用ROM实现无符号16位二进制数的加/减运算,要求有加/减模式控制、低位的进位输人以及进位输出c试问:该ROM需要有多少根地址线?多少根数据线?其存储容量为多少?
63496-2为了保证存储器准确无误地工作,加到存储器的地址和控制信号必须遵守若干时限条件,AT27C010的读时序如图7.1.5所示。
读出过程操作如下:
欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端。
加入有效的片选信号CE。
使输出使能信号OE有效,经过一定延时后,有效数据出现在数据线上。
让片选信号CE或输出使能信号0E无效,经过一定延时后,数据线呈高另外,还可以用ROM实现两个4位二进制数的乘法运算。两个4位二进制数分别作为地址的高4位和低4位,它们的积需要8位。这样选用容量为2×8位的ROM便可实现该乘法运算,读者可以试着自行确定ROM中的内容。随着集成电路技术的发展,ROM的价格已变得相对低廉,加之用它实现逻辑函数非常简单易行,所以在某些情况下,用该法实现逻辑函数不失为一种有效的方法。实际上,7.4节的现场可编程门阵列就是借鉴这种方法实现逻辑函数的。
什么是存储器的数据非易失性?
在存储器的结构中,什么是“字”?什么是字长”?如何标注存储器的容量?
一个存储容量为256×8位的ROM,其地址应为多少位?
哪几种ROM具有多次擦除重写功能?哪种ROM的擦除过程就是数据写入过程?
ROM的擦除过程就是数据写人,以随时从其中任一指定地址SRAM和动态DRAM。下面首先介绍SRAM。
SRAM的基本结构及输入输出
SRAM的基本结构与ROM类似,由存储阵列、地址译码器和输人/输出控制电路三部分组成,其结构框图如图7,2,1所示。其中处。~丸~1是Ⅱ根地址线,J/90~〃@.~1是m根双向数据线,其容量为2″×m位。0E为输出使能信号,∥E是写使能信号,CE为片选信号。只有在CE=0时,RAM才能进行正常读写操作,否则,三态缓冲器均为高阻,SRAM不工作。为降低功耗,一般过程?
用ROM实现无符号16位二进制数的加/减运算,要求有加/减模式控制、低位的进位输人以及进位输出c试问:该ROM需要有多少根地址线?多少根数据线?其存储容量为多少?