9T06031A7872CAHFT下午学技能 场效管、晶闸管的检测

场效应管的主要参数

开启电压UT MOs增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值9场效应管不能导通。

夹断电压UP 耗尽型FET的参数,当UGs=LJP时.漏极电流为零。

饱和漏极电流IDss耗尽型场效应三极管当UGs=0时所对应的漏极电流。

直流输人电阻RGs栅源间所加的恒定电压UGs与流过栅极电流I Gs之比。结型大于107Ω,绝缘栅型为109~1015Ω。

⑤漏源击穿电压U(BR)Ds 使ID开始剧增时的UDs。

⑥栅源击穿电压U(BR)Gs

JFET:反向饱和电流剧增时的栅源电压。

MOS:使sio2绝缘层击穿的电压。

低频跨导gM 指UDs一定时,漏极电流变化量△ID和栅源电压变化量△UGs之比,表示栅源电压对漏极电流的控制能力。

极间电容 场效应管三个电极之间的等效电容CGs(栅极与源极间电容)、C GD(栅极与漏极间电容)、CDs(源极与漏极间电容),一般为几皮法,结电容小的管子,高频性能好。

晶闸管的主要参数

正向阻断峰值电压(UDRM) 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压,一般为正向转折电压的80%。

反向重复峰值电压(URRM) 在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的反向峰值电压,一般为反向击穿电压的80%。

通态(峰值)电压(UTM) 晶间管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压(一般为2V)。

通态平均电流(额定电流)IT(Av) 在环境温度为40℃和规定的冷却条件下,晶闸管在电阻性负载导通角不小于170°的单相工频正弦半波电路中,当结温稳定且不超过额定结温时所允许的最大通态平均电流。