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门极伏安特性

发布时间:2019/7/14 19:05:41 访问次数:589

   门极伏安特性

   晶间管的门极和阴极间有一个PN结J3的伏安特性称为门极伏安特性,如图⒈7所示。LDS3985M30R由于实际产品的门极伏安特性的分散性很大,常以一条典型的极限高阻门极伏安特性CG和一条极限低阻门极伏安特性OD之间的区域来代表所有器件的伏安特性,称为门极伏安特性区域。其中,aABCc,为不可靠触发区,ADEF(rBA为可靠触发区,是由门极正向峰值电流rR扪、允许的瞬时最大功率P御和正向峰值电压URjM划定的区域。PG为门极允许的最在稳定的额定结温时所允许的最大平均电流。晶闸管流过正弦半波电流波形如图的通态平均电流r飞Aη和正弦电流最大值烁之间的关系表示.

    


   图19 晶闸管流过正弦半波电流波形

   流过晶间管的电流波形不同,其波形系数也不同。在实际应用中,应根据电流有效值相同的原则进行换算。通常选用晶间管时,电流选择应取(1.5~2)倍的安全裕量,这种选择同样适用于其他电力电子器件。

   这是晶闸管所允许的半周期内使结温超过额定结温的不重复正向过载电流。该值比晶问管的额定电流要大得多,实际上它体现了晶闸管抗短路冲击电流的能力,可用来设计保护电路。

   通态电压

   晶间管通以规定数倍额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。从减少功耗和发热的观点出发,应该选择通态电压较小的晶闸管。

   维持电流rH

   rH是在室温和门极断路时,晶闸管已经处于通态后,从较大的通态电流降至维持通态所必需的最小阳极电流。





   门极伏安特性

   晶间管的门极和阴极间有一个PN结J3的伏安特性称为门极伏安特性,如图⒈7所示。LDS3985M30R由于实际产品的门极伏安特性的分散性很大,常以一条典型的极限高阻门极伏安特性CG和一条极限低阻门极伏安特性OD之间的区域来代表所有器件的伏安特性,称为门极伏安特性区域。其中,aABCc,为不可靠触发区,ADEF(rBA为可靠触发区,是由门极正向峰值电流rR扪、允许的瞬时最大功率P御和正向峰值电压URjM划定的区域。PG为门极允许的最在稳定的额定结温时所允许的最大平均电流。晶闸管流过正弦半波电流波形如图的通态平均电流r飞Aη和正弦电流最大值烁之间的关系表示.

    


   图19 晶闸管流过正弦半波电流波形

   流过晶间管的电流波形不同,其波形系数也不同。在实际应用中,应根据电流有效值相同的原则进行换算。通常选用晶间管时,电流选择应取(1.5~2)倍的安全裕量,这种选择同样适用于其他电力电子器件。

   这是晶闸管所允许的半周期内使结温超过额定结温的不重复正向过载电流。该值比晶问管的额定电流要大得多,实际上它体现了晶闸管抗短路冲击电流的能力,可用来设计保护电路。

   通态电压

   晶间管通以规定数倍额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。从减少功耗和发热的观点出发,应该选择通态电压较小的晶闸管。

   维持电流rH

   rH是在室温和门极断路时,晶闸管已经处于通态后,从较大的通态电流降至维持通态所必需的最小阳极电流。





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