磷化铟毫米波器件

   磷化铟毫米波器件主要包括InP HEMT、InP HBT两种异质结器件及其毫米波单片集成电路。InP HEMT基本工作原理与GaAs HEMT、PHEMT相同。 FF0251SS1-R3000典型InP DHBT材料系统由n InAlAs发射区/p InGaAs基区/n InP集电区组成。与GaAs系材料相比,InP HBT系列材料性能优势的主要方面是:发射区的注入效率更高,较低的基区电阻,高场下电子速度过冲,通过集电极的渡越时间缩短,InP表面复合速度低,器件具有低的低频噪声。InP HBT具有较低的导通电压,较低的功耗,较高的工作速度和增益等性能优点。与此同时,InP材料可以获得高频损耗小的半绝缘衬底,因此,广泛用于制作hP基MMIC,并且逐渐成为毫米波器件的主流技术。

   磷化铟毫米波器件主要技术参数有频率、带宽、增益、噪声系数、功率、效率等。