某型DDS器件的电离总剂量辐照试验

   某型DDs器件(直接数字频率合成器),采用外延硅0.13um CMOs工艺,6层金属布线.M24C32-WMN6TP器件内核工作电压为1,2V,外部V0工作电压为3,3V,其引脚排列图如图3-14所示。

   因此,该器件采用MOs器件的试验流程进行试验,具体试验内容如下。

   l)辐射源选择

   辐照源为钴60澍线源。辐照场在试验样品辐照面积内的不均匀性小于10%。本试验的总剂量辐照源为中国科学院上海应用物理研究所的钴60侧线源,或其他满足要求的辐照源。

   2)试验环境要求

   若无其他规定,所有试验应该在下列环境中进行:环境温度为15℃~35℃;相对湿度为20%RH~80%RH。

   3)试验样品选择及处置

   样本数为2只/每晶圆。另外抽取一只样品不辐照作为对比样品,对比样品和辐照样品一起每次进行电测试。

   4)剂量率及总剂量

   剂量率为0,5Gy(Si)人(±10%),规定总剂量为10OOGy(si)。

   5)电测要求

   总剂量辐照试验前后的测试采用移位测试。在电参数测量时,先用对比样品进行测量系统检查,测试数据和被试样品的测试数据一起保存。辐照前、后的电参数测试应在同一测试系统上进行,测试项目的顺序和测试条件应保持不变,电参数测试的时间间隔遵守如下规定:

   (1)辐照结束到开始电参数测试的时间间隔不得超过1h。

   (2)上一次辐照结束到下一次辐照开始之间的时间间隔不得超过2h。

   如果辐照后的电参数测试采用移位测试的方式进行,那么将器件从辐射源移至测试地点进行测试,以及测试完毕返回辐射源继续进行辐照的过程中,应将器件的所有引脚短接。