宇航用半导体器件电离总剂量试验标准

   国外相关标准分析

   在半导体器件总剂量辐照试验方面,国外主M24C02-RMN6TP要总剂量辐照试验标准如表3-4所示。

   MIL-ST冫750F-1019.5半导体分立器件总剂量试验程序主要应用于半导体分立器件。本报告中主要对MIL-STD-883H M1019和ESA/scC Bs229oo进行分析。表3-5总结了ESA/sCC22900和MIL-sTD-883H方法I0I98的不同之处。可以看出,ESⅣsCC22⒇0和M⒒-STD-883G方法1019.7在试验的适用范围、辐射源的选择、辐射总剂量的要求、辐射剂量率、退火条件及辐射过程中的温度和测试温度存在差别,而在辐射剂量率的选择上,两标准的规定相差几十倍。