空间辐射环境中存在的各种高能射线粒子,如质子、电子、α粒子、重离子等。 M24M01-RMN6TP这些高能射线或粒子入射到半导体器件中时,会发生单粒子效应,导致器件失效。单粒子效应叉称单粒子事件(Si唣kE妮nt E氏c“,SEE),是高能粒子射入半导体器件后,由于电离效应所引起的一类辐射效应的总称,包括软错误和硬错误。单粒子效应按照效应的现象分为单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子瞬态等多种,sEE是包含所有单粒子效应的通用术语,几种典型的单粒子效应的缩略语如表3-12所示。

   表⒊12 几种典型的单粒子效应缩略语列表

   (l)单粒子翻转(SEU),即高能粒子引起器件逻辑状态的改变,这种改变是可逆的。

    (2)单粒子功能中断(SE∏).巳「高能粒子引起器件的功能异常。

   (3)单粒子锁定(sEL,丿,盯高能粒子引起CMOs器件的可控硅效应。

   (4)单粒子烧毁(SEB),主要发生在功率器件中的空间辐射效应,将使器件发生不可逆的故障而失效c

   (5)单粒子栅穿(SEGR),即高能粒子引起的栅极绝缘击穿。前面两种效应(SEU、SEFI)为软错误。SEU和sEFI仅仅改变了内部存储单元的状态,或者短时间内对器件中的某些节点产生一个干扰信号。此类效应可以通过对器件的复位,让芯片正常工作。后面3种效应(SEL、SEB、SEGR)为硬错误或永久性损伤,这些效应会使器件中的晶体管彻底失效不工作。