电离总剂量辐照源及试验设备

   半导体器件对辐射非常敏感,为保证电子设备在特定的辐射环境下能正常I作,必须对M24512-WMN6TP它们的辐射效应及辐射加固进行研究。利用卫星搭载飞行试验的空间辐射进行电子元器件的辐射效应和加固技术研究具有真实性和综合性,但受条件的限制,在试验规模和测试的安排上等都有较大的困难,且试验次数有限。因此,利用实验室模拟辐射环境对电子元器件进行各种辐射试验研究便成为最方便和直观的方法。

   对于半导体器件的电离总剂量辐照试验,目前实验室最常用的模拟源为l’l’C⒍Ars寸线源,另外还有X射线源和电子加速器。

   X射线与伤寸线对电子元器件的辐射损伤机理是相同的。但是由于X射线辐照存在很强的剂量增强效应和初始电子空穴复合因素,再加上X射线辐照装置的能谱、剂量测量都比较困难,因此,在进行总剂量辐照试验时,通常不会采用X射线源,而是大多采用bl Co-伤寸线源。而彐^山于ωC⒍γ射线源的能谱比X射线更好地匹配于空间射的能谱,因此,在进行空间环境'总剂量效应试验中,是以sC1Co-lr射线源为主。

   60Co-俏寸线源是一种稳态辐射源。6°Co是钴元素的同位素,其半衰期为527年。60Co源在衰变的过程中会放出两束俏寸线,其能量分别为1.17McV和I33McV,因此叉叫bllCo-伤寸线源。由于散射的缘赦,60Co-γ射线源的射线能谱中除L述两种伤寸线外,还包含大量的低能成分。这些低能成分同X射线一样,均会引起剂量增强效lll/,因此,电离总剂量试验过程中,需要对低能散射部分进行屏蔽。伤寸线具有极强的穿透性、射程大的优点,这将有利于对比较厚的物体进行总剂量试验c60Co-γ射线源按照排列方式来分,主要可分为棒源、花篮源和板状源二类。如图3-5~图3ˉ7所示是3种形状的钴源的示意图。 棒源指的是由单根源棒组成的钴源:花篮源是由多恨氵京幛△歹刂吱佗笠状的钻源;而板状源指的是将多根源棒按一定的间隔距离进行排列组哎冖勹钴源:棒源和花篮源具有剂量分布均匀性好的特点,因此,通常称棒源和花篮源为点源,相对的称板状源为面源。国内从事钴源辐照的单位很多,包括中国科学院新疆理化技术研究所、西北核技术研究所、北京师范大学、中国工程物理研究院等。表3-3所示为国内主要的半导体器件电离总剂量辐照试验用bOCo-俏寸线源。