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塑封器件中的水汽包括封装时残留于器件内部

发布时间:2019/4/22 20:45:40 访问次数:1262

 从管芯加工完成后的中测、划片、键合、封装等直到器件完成的所有工序统称后工 序,其中存在的可靠性问题有:1)由湿气引起金属材料的腐蚀;2)由湿气引起器件性能的 退化。后一种失效在塑封器件中较为明显。塑封是在环氧树脂中,加入硬化剂、填充剂 等,加热、加压固化成管壳。其耐湿差、湿气的危害不容忽视。 

  塑封器件中的水汽包括封装时残留于器件内部、表面吸附或经材料间的缝隙渗人以及 由外界通过塑料材料本身扩散进入的水汽。水汽可把外界及树脂表面的污染带人,也可溶 解树脂中含有的杂质(如Cl-、Na+及保护膜中的磷)等形成电解液,以及引起体积膨胀等 变化,影响器件可靠性。知道了产生软误差的物理过程,也就有了防止的措施。提高封装材料的纯度,减少a粒子来源。芯片表面涂阻挡层,如聚酸胺系列有机高分子化合物,组织仅粒子发射到芯片中。DRAM的使用中采用复杂的时序控制电路,缩短位线电压浮动时间,减少软误差。

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   铝的氧化性活泼,其电极电位为负(相对于氢电极),在空气中常生成一薄层Al2 03,它具有保护膜性质。但当有水汽存在时便生成两性的Al(OH)3,它既可溶于酸又可溶于碱,且Al(OH)。的体积比铝的大,使Al2 03变得疏松,露出基底铝,促使铝的进一步腐蚀。

   铝腐蚀模式视铝附近有无电场或其他金属而可分为三种:化学的、电化学的和电腐蚀的(与其他金属构成电池)。铝互连线的电位各处可不等,从而构成单一阳电池而发生电化学腐蚀,条件是要有水的存在作为电解液,电位高处为阳极,电位低处为阴极。

   从器件设计人手,增加存储单位面积的电荷存储容量,如采用介电系数大的材料或沟槽结 构电容,增大存储电容面积。也可在衬底中加隐埋层,提高杂质浓度,并使隐埋 层杂质分布优化,使电荷收集效率小而又不致提 高结电容,降低电路性能。从电路设计人手,采用ECC(Error CorrectingCode,纠错码)技术。

 从管芯加工完成后的中测、划片、键合、封装等直到器件完成的所有工序统称后工 序,其中存在的可靠性问题有:1)由湿气引起金属材料的腐蚀;2)由湿气引起器件性能的 退化。后一种失效在塑封器件中较为明显。塑封是在环氧树脂中,加入硬化剂、填充剂 等,加热、加压固化成管壳。其耐湿差、湿气的危害不容忽视。 

  塑封器件中的水汽包括封装时残留于器件内部、表面吸附或经材料间的缝隙渗人以及 由外界通过塑料材料本身扩散进入的水汽。水汽可把外界及树脂表面的污染带人,也可溶 解树脂中含有的杂质(如Cl-、Na+及保护膜中的磷)等形成电解液,以及引起体积膨胀等 变化,影响器件可靠性。知道了产生软误差的物理过程,也就有了防止的措施。提高封装材料的纯度,减少a粒子来源。芯片表面涂阻挡层,如聚酸胺系列有机高分子化合物,组织仅粒子发射到芯片中。DRAM的使用中采用复杂的时序控制电路,缩短位线电压浮动时间,减少软误差。

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   铝的氧化性活泼,其电极电位为负(相对于氢电极),在空气中常生成一薄层Al2 03,它具有保护膜性质。但当有水汽存在时便生成两性的Al(OH)3,它既可溶于酸又可溶于碱,且Al(OH)。的体积比铝的大,使Al2 03变得疏松,露出基底铝,促使铝的进一步腐蚀。

   铝腐蚀模式视铝附近有无电场或其他金属而可分为三种:化学的、电化学的和电腐蚀的(与其他金属构成电池)。铝互连线的电位各处可不等,从而构成单一阳电池而发生电化学腐蚀,条件是要有水的存在作为电解液,电位高处为阳极,电位低处为阴极。

   从器件设计人手,增加存储单位面积的电荷存储容量,如采用介电系数大的材料或沟槽结 构电容,增大存储电容面积。也可在衬底中加隐埋层,提高杂质浓度,并使隐埋 层杂质分布优化,使电荷收集效率小而又不致提 高结电容,降低电路性能。从电路设计人手,采用ECC(Error CorrectingCode,纠错码)技术。

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