H8S/2623

   为了提高OLED性能,诸如降低驱动电压、提高发光效率、改善器件稳定性和延长寿命等,在ITO和空穴传输层之间往往会引入一个缓冲层,其作用机制有多种方式,阐述如下。

   增强空穴注入的缓冲层

   在以ITO为阳极的oLED器件中,经过表面修饰的ITo功函数最大可 达5.0eV,有机空穴传输材料的HOMO通常在5,5eV左右,因此空穴由电极的注人通常有0,5eV左右的注人势垒。为了减小电极与空穴传输层之间的注人势垒,可在二者之间嵌人一个空穴能级适中的空穴注人层,形成能级的梯状递增,使空穴可以通过减小的势垒分步注人到空穴传输材料中,提高注人效率,这类缓冲层包括PED0△Pss[po1y(3,4ˉethylenedioxythiophene)∶poly(styrenesulphonic acid)l叨、星形三级芳胺phenyl)aminoltrVhenylamine) 和 m~MTDATA (tris(m-methyldipheny1amino)⒒phenylamine)⒓剑等,分子结构见图5.10。PEDOT∶Pss通常应用在聚合物器件中,通过它的修饰可将ITO表面平 整化、增加注入,因此减少了器件短路几率,延长器件寿命,降低驱动电压.m~MTDATA和⒉TNATA主要用于小分子oLED器件,它们起到提高注人效率、增强有机材料与阳极表面之间的附着力、可以形成平整电极形貌的作用,因此通过这些材料对ITO表面的修饰,常常可以同时提高器件功率效率和增强器件寿命。