AA2214QBS/G

   可用硅（铜）一铝合金或难熔金属硅化物代替纯铝。经过进一步的发展，在ULSI电路 中，目前已采用和铜作为互连材料。此时以铝基材料作为互连线使用，其电导率不够高， 抗电迁移性能差，已不适应要求。铜的导电性好，用壹流偏置射频溅射方法生成薄膜，并 经在氮气保护下，450℃高温停留30min的退火处理，可得到大晶粒结构铜的薄层，其电 阻率仅为1. 76)uC/,．cm，激活能为1.26eV，几乎比Al-Si-Cu的(0. 62eV)大两倍，在同样电流密度下，寿命将比Al- Si-Cu的长3～4个数量级。

   合理进行电路版图设计及热设计，尽可能增加条宽，降低电流密度，采用合适的金属化图形（如网络状图形比梳状结构好），使有源器件分散。增大芯片面积，合理选择封装形式，必要时加装散热器防止热不均匀性和降低芯片温度，从而减小热阻，有利于散热。

  采用以金为基的多层金属化层，如Pt。S12 -Ti-Pt-Au层，其中，Pts S12与硅能形成良好 的欧姆接触，钛是粘附层，铂是过渡层，金是导电层。对于微波器件，常采用Ni-Cr-Au 及Al- Ni- Au层。当然，多层金属化使工艺复杂，成本提高。

   严格控制工艺，加强镜检，减少膜损伤，增大铝晶粒尺寸，因为大晶粒铝层结构的无规律性变弱，晶界扩散减少，激活能提高，中位寿命增加。蒸铝时提高芯片温度，减缓淀积速度及淀积后进行适当热处理可获得大晶粒结构，但晶粒过大会妨碍光刻和键合，晶粒尺寸宜选择得当。工艺中也应该使台阶处覆盖良好。