FA1101F-TR

   主体发光与掺杂发光器件结构

   以三层器件结构为例,主体发光与掺杂发光的器件结构示于图5。冗中,①其中的HTL和ETL分别代表空穴传输层和电子传输层。②在主体发光器件中,发光材料的聚集方式存在(图5.%(a))。这类器件具有结构简单。发光中心较多的优点。但是一些有机发光材料,虽然其分子在较低浓度时发光很强,分子聚集态却表现出强烈的浓度猝灭特性,不能用于主体发光器件中。将这类材料分散在主体材料中,制各的掺杂发光器件(图5.26(b))可以实现很好的电致发光。与主体发光器件有所不同,掺杂发光器件中,除了掺杂材料直接俘获载流子外,激子形成过程还包括了从主体材料向掺杂材料的能量转移过程。能量由主体材料向掺杂材料转移的详细内容,可参见第二章的相关内容,以及本章在器件机理部分对基于磷光器件中掺杂材料激子产生机制的讨论。

    主体发光(a)与掺杂发光(b)器件结构

    与主体发光相比,掺杂发光有很多优点。例如,利用掺杂发光既可以通过避免材料发光的浓度猝灭来提高器件发光效率,又可以减慢器件老化过程lg9,90l。另外,采用掺杂发光,还可增加器件设计的灵活性。因为发光层与上下相邻两层之间的载流子注人势垒、发光层的载流子输运能力可通过选择主体材料调节,无需考虑掺杂材料。而器件的发光性能则可以通过选择适当的掺杂材料而得到控制。掺杂发光器件结构对功能材料的分子设计要求也有所降低,因为可以在材料设计时将电学特性和光学特性分开来考虑:主体材料控制器件发光层的电学性质;而器件对发光性能的要求可主要由掺杂材料来实现。