FDS4435【用途 应用】 场效应管

【性能 参数】

P沟 30V 8.8A 2.5W 0.02欧 带阻尼

引脚排列图：

主要参数

编辑FDS4435，

采用SOIC封装方式。

晶体管极性:P沟道漏极电流, 

Id 最大值:-8.8A电压, 

Vds 最大:30V

开态电阻, Rds(on):0.02ohm

电压 @ Rds测量:-10V、

电压, Vgs 最高:-25V

功耗:2.5W其

他参数编辑工作

温度范围:-55oC to +175oC

封装类型:SOIC

针脚数:8SMD

标号:FDS4435

功率, Pd:2.5W

封装类型:SOIC

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 

测量:-10V电压, 

Vds:30V电压, Vds 

典型值:-30V电流, 

Id 连续:8.8A

电流, Idm 

脉冲:50A

表面安装器件:表面安

装阈值电压, Vgs th 

典型值:-1.7V

阈值电压, Vgs th 

最高:-3V